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SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊

麥辣雞腿堡 ? 來源:派恩杰半導體 ? 2025-02-28 18:21 ? 次閱讀
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P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認證,具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行等特性,正向電壓具有正溫度系數,能承受高浪涌電流,且所有產品都經過 100% UIS測試。這些特性使得該二極管可提升系統(tǒng)效率、減少散熱需求、降低開關損耗,符合 RoHS 標準,在器件并聯(lián)時也不會出現熱失控現象。

*附件:SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf

特性

  • 通過 AEC-Q101 認證
  • TO-263-2 封裝
  • 超快速開關
  • 零反向恢復電流
  • 高頻運行
  • 正向電壓具有正溫度系數
  • 高浪涌電流
  • 100% 進行 UIS 測試

標準優(yōu)勢

  • 提高系統(tǒng)效率
  • 降低散熱片需求
  • 基本無開關損耗
  • 符合 RoHS 標準
  • 器件并聯(lián)時無熱失控風險

應用領域

最大額定值

image.png

熱特性

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封裝外形

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