概述

HMC199AMS8和HMC199AMS8E均為低成本通用型雙通道SPDT GaAs“旁路”開(kāi)關(guān)，采用8引腳MSOP封裝，頻率范圍為DC至2.5 GHz。 這四個(gè)RF端口部件將兩個(gè)SPDT開(kāi)關(guān)和一條直通線集成到單個(gè)IC上。 這些設(shè)計(jì)提供小于0.5 dB的低插入損耗，同時(shí)在信號(hào)路徑內(nèi)外切換無(wú)源或有源外部電路元件。 端口間隔離通常為25至30 dB。 片內(nèi)電路在極低直流電流時(shí)采用正電壓控制工作，且控制輸入兼容CMOS和大多數(shù)TTL邏輯系列。 此類應(yīng)用包括LNA或濾波器旁路開(kāi)關(guān)和單位衰減器開(kāi)關(guān)。 HMC199AMS8E產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC199A雙通道單刀雙擲開(kāi)關(guān)，DC-2.5GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 蜂窩
• ISM基站
• PCS

特性

• 產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
• 集成雙通道SPDT
• 低插入損耗： <0.5 dB (2 GHz)
• 正控制電壓： 0/+5V、0/+3V
• 超小型MSOP8封裝： 14.8 mm2

框圖

外形圖

典型應(yīng)用電路

備注:
1.將A/B控制設(shè)置為0/+5V，Vdd = +5V，并使用HCT系列邏輯來(lái)提供TTL驅(qū)動(dòng)器接口。
2 .控制輸入A/B可以直接用CMOS邏輯(HC)驅(qū)動(dòng)，將Vdd = 5至7伏施加于CMOS邏輯門。
3 .如圖所示，每個(gè)RF端口都需要DC隔直電容。電容值決定最低工作頻率。
4 . Vdd =+7V且A/B設(shè)置為0/+7V時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最高RF信號(hào)功率。

評(píng)估PCB