概述

HMC7229CHIPS是一款集成溫度補償片內功率檢波器的四級、砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、1 W功率放大器，工作頻率范圍為33 GHz至40 GHz。HMC7229CHIPS在33 GHz至40 GHz的整個頻段內提供23 dB至24.5 dB的典型增益范圍、30 dBm至32 dBm的飽和輸出功率(PSAT)范圍和12%至22%（典型值）的功率附加效率(PAE)范圍（6 V電源）。HMC7229CHIPS在33 GHz至40 GHz的整個頻段內具有出色的OIP3范圍（37 dBm至39.5 dBm），非常適合線性應用，比如要求32 dBm有效飽和輸出功率的高容量點對點或點對多點無線電或甚小孔徑終端(VSAT)/衛星通信(SATCOM)應用。射頻(RF)輸入/輸出端口采用內部匹配并經過隔直，以便輕松集成到高級組件中。
數據表：*附件：HMC7229-DIE集成功率檢波器的33GHz至40GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器技術手冊.pdf

應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電
• VSAT和SATCOM

特性

• 32 dBm P~SAT with 22% PAE
• P1dB P ~OUT：31.5 dBm
• 高OIP3：39.5 dBm
• 高增益：24.5 dB
• 50 Ω匹配輸入/輸出

框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型性能特征

HMC7229是MMIC GaAs pHEMT公司的1 W功率放大器，由四個串聯增益級組成。圖34顯示了HMC7229的簡化功能框圖。
HMC7229的輸入信號被平均分為兩路，每路通過四個獨立的增益級放大。放大后的信號在RF輸出端合并。RF輸出信號的一部分被定向耦合到二極管，用于檢測RF輸出功率。當二極管直流偏置時，它對RF功率進行整流，并使其可作為Vner處的直流電壓進行測量。為了對VDEr進行溫度補償，可以通過VREs提供一個對稱放置的相同檢波器電路，減去耦合RF功率。如圖32所示，取VREF–vdet之差可提供與RF輸出功率成比例的溫度補償信號。
HMC7229具有單端輸入和輸出端口，阻抗在33 GHz至40 GHz的頻率范圍內標稱匹配50歐姆。因此，HMC7229可以直接插入50歐姆系統，無需阻抗匹配電路。