TPSM86325x 是一款簡單易用、高效、高功率密度的同步降壓模塊,輸入電壓范圍為 3V 至 17V,支持高達 3A 的連續(xù)電流。
TPSM86325x 采用 D-CAP3 控制模式來提供快速瞬態(tài)響應,并支持低 ESR 輸出電容器,而無需外部補償。該器件可支持高達 95% 的占空比作。
*附件:tpsm863257.pdf
TPSM863252 在 Eco 模式下運行,可在輕負載期間保持高效率。TPSM863257 在 FCCM 模式下運行,在所有負載條件下保持相同的頻率和較低的輸出紋波。TPSM863253 是具有 FCCM 模式的固定 3.3V 輸出電壓部件。TPS863253內部模塊中集成了分壓電阻器和前饋電容。該器件通過 OVP、OCP、UVLO、OTP 和 UVP 集成全面保護,帶打嗝。
該器件采用 QFN 封裝。結溫的額定溫度范圍為 –40°C 至 125°C。
特性
- 針對廣泛的應用進行配置
- 易于使用且設計尺寸小
- 輕負載時TPSM863252省油模式、TPSM863257 和 TPSM863253 FCCM 模式
- 快速瞬態(tài) D-CAP3? 控制模式
- 通過集成自舉電容器和電感器輕松布局
- 支持使用預偏置輸出電壓啟動
- 用于 OV、OT 和 UVLO 保護的非鎖存
- 逐周期 OC 和 NOC 保護
- –40°C 至 125°C 工作結溫
- 3.3mm × 4mm × 2mm QFN 封裝
參數(shù)
方框圖
1. 產(chǎn)品概述
- ?產(chǎn)品系列?:TPSM86325x
- ?型號?:TPSM863257
- ?功能特點?:
- 寬輸入電壓范圍:3V to 17V
- 輸出電壓范圍:0.6V to 5.5V
- 同步降壓模塊,最大輸出電流3A
- 集成55mΩ和24mΩ MOSFETs
- 1.2MHz固定開關頻率
- 高達95%的大占空比操作
- 快速瞬態(tài)響應的D-CAP3?控制模式
- 支持低ESR輸出電容器,無需外部補償
- FCCM模式,保持固定頻率和較低的輸出紋波
- 過壓、過溫、欠壓鎖定(UVLO)保護
- 非鎖存保護機制
- 3.3mm × 4mm × 2mm QFN封裝
2. 應用領域
3. 主要特性
- ?高效率?:通過D-CAP3控制模式和優(yōu)化的MOSFET設計實現(xiàn)。
- ?小尺寸設計?:集成電感器和電容器,減少外部元件數(shù)量,節(jié)省PCB空間。
- ?易于使用?:WEBENCH? Power Designer支持自定義設計,簡化設計流程。
- ?高可靠性?:全面的保護功能,包括過流保護(OCP)、過壓保護(OVP)、欠壓鎖定(UVLO)、過溫保護(OTP)等。
4. 功能描述
- ?D-CAP3控制模式?:提供快速瞬態(tài)響應,支持低ESR輸出電容器,無需外部補償。
- ?FCCM模式?:在輕載條件下保持固定開關頻率和較低的輸出紋波。
- ?軟啟動?:內部固定1.6ms軟啟動時間,避免啟動時的電流沖擊。
- ?預偏置軟啟動?:支持預偏置輸出電壓啟動,確保平滑過渡到調節(jié)點。
- ?保護功能?:包括OVP、UVLO、OTP、循環(huán)逐周期過流保護(OC)和負過流保護(NOC)。
5. 電氣特性
- ?輸入電壓范圍?:3V to 17V
- ?輸出電壓范圍?:0.6V to 5.5V
- ?開關頻率?:約1.2MHz(可根據(jù)輸出電壓和占空比調整)
- ?靜態(tài)電流?:100μA(無負載,非切換狀態(tài))
- ?效率?:高達95%(取決于輸入電壓、輸出電壓和負載條件)
- ?軟啟動時間?:1.6ms(內部固定)
- ?過壓保護閾值?:110% to 120%標稱輸出電壓
- ?欠壓鎖定閾值?:喚醒電壓2.8V至3.0V,關斷電壓2.6V至2.8V
6. 典型應用
- ?電路圖?:提供了詳細的典型應用電路圖,包括輸入電容、輸出電容、反饋電阻等的配置。
- ?設計指南?:建議使用推薦的外部組件值,或使用WEBENCH? Power Designer進行自定義設計。
7. 布局指導
- ?輸入和輸出電容?:應盡可能靠近設備放置,以最小化跡線阻抗。
- ?反饋環(huán)路?:應遠離高壓開關跡線,并使用地線屏蔽。
- ?地線?:輸出電容與GND引腳之間的地線應盡可能寬,以最小化阻抗。
8. 封裝與訂購信息
- ?封裝類型?:QFN-FCMOD RDX,7引腳
- ?封裝尺寸?:3.3mm × 4.0mm × 2.0mm(最大高度)
- ?訂購信息?:提供了TPSM863257的訂購代碼和包裝選項。
9. 支持資源
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