H橋是一種電子電路，可使其連接的負載或輸出端兩端電壓反相/電流反向。

這類電路可用于機器人及其它實作場合中直流電動機的順反向控制及轉(zhuǎn)速控制、步進電機控制（雙極型步進電機還必須要包含兩個H橋的電機控制器），

電能變換中的大部分直流-交流變換器（如逆變器及變頻器）、部分直流-直流變換器（推挽式變換器）等，以及其它的功率電子裝置。

H橋是一個典型的直流電機控制電路，因為它的電路形狀酷似字母H，故得名曰“H橋”。

4個三極管組成H的4條垂直腿，而電機就是H中的橫杠（注意：概述圖中只是簡略示意圖，而不是完整的電路圖，其中三極管的驅(qū)動電路沒有畫出來）。

H橋電路中間有一個直流電機M。D1、D2、D3、D4是MOS-FET的續(xù)流二極管；

開關(guān)狀態(tài)
下面以控制一個直流電機為例，對H橋的幾種開關(guān)狀態(tài)進行簡單的介紹，其中正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)是人為規(guī)定的方向，實際工程中按照實際情況進行劃分即可。

正轉(zhuǎn)

通常H橋用來驅(qū)動感性負載，這里我們來驅(qū)動一個直流電機：

打開Q1和Q4

關(guān)閉Q2和Q3

此時假設(shè)電機正轉(zhuǎn)，電流依次經(jīng)過Q1、M、Q4 ，如下圖中紅色線條所示。

反轉(zhuǎn)

另外一種狀態(tài)則是電機反轉(zhuǎn)，此時四個開關(guān)元器件的狀態(tài)如下：

關(guān)閉Q1和Q4

打開Q2和Q3

此時電機反轉(zhuǎn)，電流依次經(jīng)過Q2、M、Q3 ，如下圖中紅色線條所示。

調(diào)速

如果要對直流電機調(diào)速，其中的一種方案就是：

關(guān)閉Q2和Q3

打開Q1 ，Q4上給它輸入50%占空比的PWM波形

這樣就達到了降低轉(zhuǎn)速的效果，如果需要增加轉(zhuǎn)速，則將輸入PWM的占空比設(shè)置為100%，電流方向如下圖中紅色線條所示。

停止狀態(tài)

這里以電機從正轉(zhuǎn)切換到停止狀態(tài)為例。

正轉(zhuǎn)時Q1和Q4是打開狀態(tài)，這時候如果關(guān)閉Q1和Q4，直流電機內(nèi)部可以等效成電感，也就是感性負載，電流不會突變，那么電流將繼續(xù)保持原來的方向進行流動，這時候我們希望電機里的電流可以快速衰減。

這里有兩種辦法。

第一種：

關(guān)閉Q1和Q4，這時候電流仍然會通過反向續(xù)流二極管進行流動，此時短暫打開Q1和Q3從而達到快速衰減電流的目的，電流方向如下圖中紅色線條所示。

第二種：

準備停止的時候，關(guān)閉Q1、打開Q2，這時候電流并不會衰減地很快，電流循環(huán)在Q2、M、Q4之間流動，通過MOS-FET的內(nèi)阻將電能消耗掉。

補充-另外一種H橋電路

上文中是包含4個N型MOS管的H橋，

另外還有包含2個N型、2個P型MOS管的H橋，下圖就是這種H橋電路。

它由2個P型場效應(yīng)管Q1、Q2與2個N型場效應(yīng)管Q3、Q4組成，橋臂上的4個場效應(yīng)管相當于四個開關(guān)。

相對于前文4個N型MOS管的H橋電路，此電路的一個優(yōu)點就是無論控制臂狀態(tài)如何（絕不允許懸空狀態(tài)），H橋都不會出現(xiàn)“共態(tài)導(dǎo)通”（短路）。

MOS管開關(guān)電路原理

P型MOS管在柵極為低電平時導(dǎo)通，高電平時關(guān)閉。

N型MOS管在柵極為高電平時導(dǎo)通，低電平時關(guān)閉。

正轉(zhuǎn)

場效應(yīng)管是電壓控制型元件，柵極通過的電流幾乎為“零”。

正因為這個特點，在連接好上圖電路后，控制臂1置高電平（U=VCC）、控制臂2置低電平（U=0）時，Q1、Q4關(guān)閉，Q2、Q3導(dǎo)通。

此時，電機左端低電平、右端高電平，所以電流沿箭頭方向流動，設(shè)定此時為電機正轉(zhuǎn)。

原理圖示例

使用四個IR3205功率MOSFET和兩個IR2104 MOSFET驅(qū)動器的完整的H橋DC電動機驅(qū)動器。從理論上講，上述MOSFET可以處理高達80A的電流，但是，實際上，如果使用大型散熱片或風扇將MOSFET的溫度保持在盡可能低的水平，我們可以期望獲得高達40A的電流。

IR2104（S）是高壓，高速功率MOSFET和igbt驅(qū)動器，具有相關(guān)的高端和低端參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)可實現(xiàn)堅固的單片結(jié)構(gòu)。邏輯輸入與低至3.3V邏輯的標準CMOS或LSTTL輸出兼容。輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級，旨在最小化驅(qū)動器交叉導(dǎo)通。浮動通道可用于驅(qū)動工作在10至600伏特高壓側(cè)的N通道功率MOSFET或IGBT。”

關(guān)于IR2104該芯片既兼容3.3V邏輯電平又兼容5V邏輯電平。下圖顯示了該芯片的基本接線圖。顯然，芯片和負載（電動機）的電源不必相同，但是，兩個電源共用一個公共地。

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