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IGBT模塊上橋臂驅動電路原理詳解

青島佳恩半導體有限公司 ? 來源:青島佳恩半導體有限公司 ? 2025-07-03 10:46 ? 次閱讀
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IGBT模塊上橋臂的驅動

上橋臂和下橋臂:

IGBT以發射極電壓為基準電位驅動。開關動作時,上橋臂IGBT的發射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中,要開通上橋臂IGBT時,需要對門極施加300V加15V,合計315V的母線電壓。因此,需要不受開關噪聲干擾影響的上橋臂驅動電路

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上橋臂驅動可以使用了光耦合器和高壓驅動集成電路

使用光耦合器的上橋臂驅動:在大容量電路中,使用光耦合器進行絕緣,此外還添加離散緩沖器的輸出端。在中容量以下的電路中,使用將上述功能集成為一體的混合集成電路。圖示為后者的例子。

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● 使用去除高共模電壓的類型

● 為了盡量縮短空載時間以減少損耗,使用傳遞延遲時間tPLH和tPHL小的類型。tPLH和tPHL是相對于輸入信號,輸出從L變為H、或從H變為L的延遲時間差。

使用驅動集成電路的上橋臂的驅動:

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驅動集成電路中有:上橋臂用,半橋路用,上、下橋臂用,3相橋路用等產品。大多數是600V耐壓產品,也有1200V耐壓產品。

● 自舉二極管應該使用高速類型,耐壓應該與IGBT相同。

● 自舉電容器應該使用高頻特性良好的類型,或如薄膜電容器和陶瓷電容器進行并聯連接。

● 盡量降低電源(Vcc)的電阻抗。

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原文標題:IGBT模塊上橋臂的驅動

文章出處:【微信號:JNsemi,微信公眾號:青島佳恩半導體有限公司】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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