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三星電子宣稱開發(fā)出10納米8GbLPDDR5 DRAM

XcgB_CINNO_Crea ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-07-23 15:01 ? 次閱讀
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三星電子7月17日對(duì)外宣稱開發(fā)出10納米8GbLPDDR5(Low Power Double Data Rate 5) DRAM,引領(lǐng)5G手機(jī)AI市場(chǎng)。這是繼2014年開發(fā)出8GbLPDDR4 DRAM后時(shí)隔4年開創(chuàng)了新的LPDDR5時(shí)代。

8Gb LPDDR5(來源三星電子)

三星在業(yè)界率先量產(chǎn)10納米16Gb GDDR6 DRAM后,又成功開發(fā)出16Gb DDR5 與8Gb LPDDR5 DRAM而打造出全線高端DRAM產(chǎn)品線。

此次研發(fā)出的8Gb LPDDR5DRAM速度比現(xiàn)有高端手機(jī)所采用的DRAM(LPDDR4X, 4266Mb/s)高出1.5倍,可達(dá)6400Mb/s的速度。1秒即可傳輸14篇FHD電影(相當(dāng)于51.2GB)。

三星將通過此款產(chǎn)品開創(chuàng)更高階DRAM市場(chǎng)的新時(shí)代,同時(shí)打入新一代智能手機(jī)、車輛市場(chǎng)。

8GbLPDDR5 DRAM有1.1V6400Mb/s產(chǎn)品和 1.05V5500Mb/s的2個(gè)產(chǎn)品線,為新一代智能手機(jī)與車輛系統(tǒng)提供最優(yōu)的方案。

此款產(chǎn)品是通過把信息儲(chǔ)存單元從8Bank提升至16Bank的方式提升了數(shù)據(jù)處理速度,并減少了耗電。為確保超高速,還搭載了High Speed Training Scheme。

為了減少耗電量,在Active模式下可以根據(jù)手機(jī)AP(Application Processor)速度降低DRAM作業(yè)電壓,并在AP指令數(shù)據(jù)記錄為“0”時(shí)可以停止相應(yīng)區(qū)域的動(dòng)作。

在待機(jī)(Idle)模式下比LPDDR4X DRAM節(jié)省一半的耗電量,提供超省電模式(Deep Sleep Mode)。

通過這些可比原有產(chǎn)品的耗電量改善30%,即可以提升智能手機(jī)性能,還可以延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。

三星電子還將以此技術(shù)為基礎(chǔ),為客戶提供FHD 4倍像素UHD的AI與ML“超高速、超省電、超薄”方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:三星電子 | 開發(fā)出速度提升1.5倍的8Gb LPDDR5 DRAM

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