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臺積電7nm工藝助推業(yè)績新高,2020年投產(chǎn)5納米

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-10-11 15:41 ? 次閱讀
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張忠謀退休后的四個月里,臺積電雖經(jīng)歷病毒風(fēng)波,但7nm工藝加持傍身依然帶給世人驚喜。

昨日,臺積電公告第三季度合并營收達(dá)新臺幣2603.48億元(約合85.36億美元,按1美元=30.5新臺幣計(jì)算),其原本預(yù)期第三季度合并營收介于84.5~85.5億美元,達(dá)原先業(yè)績展望上限。

不過,8月初臺積電受到電腦病毒影響導(dǎo)致全廠區(qū)停工數(shù)日,當(dāng)時臺積電表示該事件預(yù)期將對第三季度營收造成低于2%的影響,估計(jì)營收表現(xiàn)約落在82.8億~83.8億美元,故按此來看,更是超出預(yù)期。若無該意外事件,晶圓代工龍頭的業(yè)績可能將令市場驚艷。

7nm工藝助推業(yè)績新高

正如張忠謀看好般,臺積電正向“一萬億”(新臺幣營收)的目標(biāo)前進(jìn)。而在7nm的優(yōu)勢下,距離達(dá)標(biāo)似已近在眼前。

根據(jù)臺積電公布的數(shù)據(jù)顯示,臺積電 9月合并營收達(dá)新臺幣949.22億元,寫下單月歷史次高紀(jì)錄,僅次于2018年3月高點(diǎn),再加上新臺幣貶值帶動下,整體第3季營收達(dá)2603.48億元,季增11.6%,年增3.2%。若加之上半年整體業(yè)績,臺積電今年前三季度合并營收達(dá)新臺幣7417.03億元,較2017年同期增長6.0%。

毫無疑問的是,在當(dāng)前全球智能手機(jī)市場滯漲、存儲芯片面臨下跌拐點(diǎn)與挖礦機(jī)需求降低的情況,臺積電仍如此“爭氣”離不開獨(dú)占鰲頭的7nm芯片工藝訂單。

目前臺積電7nm晶圓出貨主要供予蘋果(Apple)的新機(jī)iPhone Xs等系列(A12處理器)、華為海思(如麒麟980)、高通(如驍龍855)、AMD(如Radeon Vega GPU)、賽靈思等大客戶均即將在2018年底面市。

此外,自全球礦機(jī)霸主比特大陸與嘉楠耘智發(fā)布新一代挖礦芯片,標(biāo)志著挖礦運(yùn)算特殊應(yīng)用芯片(ASIC)已全面轉(zhuǎn)進(jìn)7nm工藝,并且將在第四季度開始擴(kuò)大投片。

同時,華為最新發(fā)布的兩款AI芯片升騰910與310靠的是臺積電7納米與12納米工藝,預(yù)計(jì)明年第二季上市。

臺積電的表現(xiàn)并不會讓人失望。正如摩根士丹利在研究報(bào)中寫道,隨著Globalfoundries退出7nm技術(shù),以及英特爾10nm工藝推遲,雖然在存儲芯片造成行業(yè)下行時,但得益于蘋果、AMD和人工智能對芯片的需求,臺積電的議價能力和市場份額將會增加。

另外,值得一提的是,曾經(jīng)與臺積電一直角力的三星儼然已被甩在后面。麥格理證券半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析認(rèn)為,由于臺積電整合扇出層疊封裝(InFO)建立高門檻讓韓國三星趕不上,蘋果A13處理器訂單已是臺積電“囊中之物”,貢獻(xiàn)明年下半年?duì)I收14%。另一方面,高通下一代驍龍系列芯片訂單可貢獻(xiàn)臺積電明年?duì)I收8%;高通占臺積電營收比重,則由這兩年的7%,倍增為2019年的15%。

不止步于7nm 2020年投產(chǎn)5納米

為保持自身市場競爭力的不敗,全球擁有56%芯片代工市場份額的臺積電繼續(xù)前行。

除業(yè)績的驚喜外,臺積電近期宣布了有關(guān)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破:一是首次使用7nm極紫外光刻(EUV) 工藝完成了客戶芯片的流片工作;二是將投資250億美元用于5nm工藝技術(shù)開發(fā),預(yù)估將在2019第1季試產(chǎn)、2020年開始量產(chǎn)。

據(jù)了解,從今年4月份開始量產(chǎn)的第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)仍用于傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù),而本次基于EUV的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+),按臺積電官方說法,能將晶體管密度提升20%,同等頻率下功耗可降低6-12%。具體更多的改進(jìn)效能暫未公布。

7nm之后,臺積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5),將在多達(dá)14個層上應(yīng)用EUV,首次全面普及,號稱可比初代7nm工藝晶體管密度提升80%從而將芯片面積縮小45%,還可以同功耗頻率提升15%,同頻功耗降低20%。臺積電5nm工藝的EDA設(shè)計(jì)工具將在今年11月提供。

此外,為了搭配先進(jìn)制程微縮及異質(zhì)芯片整合趨勢,臺積電持續(xù)加碼先進(jìn)封裝制程布局。

除了整合10nm邏輯芯片及DRAM的整合扇出層疊封裝(InFO-PoP),以及整合12nm系統(tǒng)單芯片及8層HBM2存儲器的CoWoS封裝等均進(jìn)入量產(chǎn),亦推出整合多顆單芯片的整合扇出型基板封裝(InFO-oS)、整合扇出存儲器基板封裝(InFO-MS)、整合扇出天線封裝(InFO-AIP)等新技術(shù),滿足未來在人工智能及高效能運(yùn)算、5G通訊等不同市場需求。

半導(dǎo)體的開發(fā)永不止步,亦如臺積電新一任董事長劉德音所言,未來將不再僅僅依賴于摩爾定律,而是需要更多的核心處理器、內(nèi)存和其他類型的芯片集成,且硬件和軟件需要同時設(shè)計(jì)。

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原文標(biāo)題:【IC制造】臺積電“后張時代”加快5納米與封裝競爭力 今年?duì)I收朝“萬億”邁進(jìn)

文章出處:【微信號:DIGITIMES,微信公眾號:DIGITIMES】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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