女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

保護(hù)微控制器I/O線不受ESD和其他瞬變影響的設(shè)計(jì)技術(shù)

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2019-03-12 08:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

要做一些有用的事情,必須將微控制器MCU)連接到其他設(shè)備。此連接通過輸入/輸出(I/O)引腳進(jìn)行。現(xiàn)在更多的時(shí)候,引腳是多功能的,可以連接到A/D,D/A,線性功能(如運(yùn)算放大器比較器),電壓基準(zhǔn)等等。因此,對(duì)于設(shè)計(jì)工程師而言,保護(hù)這些I/O免受潛在的破壞性靜電和其他類似威脅至關(guān)重要。

在為MCU建立適當(dāng)保護(hù)時(shí),工程師們發(fā)現(xiàn)他們所依賴的特性多年來(lái)突然變得不那么有效,他們被迫重新審視過去的問題。為什么?原則上,由于市場(chǎng)壓力降低了產(chǎn)品成本,半導(dǎo)體制造商將更高的集成度與工藝幾何尺寸的不斷縮小相結(jié)合,使芯片尺寸更小。因此,實(shí)現(xiàn)必要的瞬態(tài)抗擾度保護(hù)以防止由于電源信號(hào)線瞬變引起的故障變得越來(lái)越困難。

當(dāng)幾何尺寸和IC特征尺寸較大時(shí),I/O焊盤有很多肉類駕駛員的區(qū)域和良好的防止ESD損害的保護(hù)。在努力提高產(chǎn)量的過程中,使用較小的模具和墊片,僅僅就其本質(zhì)而言,它們不太能夠擊打以保護(hù)微型元件。根據(jù)經(jīng)驗(yàn),靜電電荷將始終通過盡可能短的路徑,精細(xì)的微I/O線會(huì)導(dǎo)致更多靜電放電通過。

本文著眼于不同級(jí)別的MCU對(duì)電快速瞬變(EFT),靜電放電(ESD)和其他短時(shí)間事件的抗擾性,并提出了實(shí)用的硬件和設(shè)計(jì)技術(shù),可以提供保護(hù)微控制器I/O線的經(jīng)濟(jì)有效的方法。

免疫性能

可以將瞬態(tài)威脅分為三大類:靜電放電(ESD),電快速瞬變(EFT)和浪涌瞬變。為確保電路對(duì)這些瞬變的穩(wěn)健性,國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)在其IEC61000-4系列電磁兼容性(EMC)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了一系列瞬態(tài)抗擾度測(cè)試:IEC61000-4-2涵蓋了ESD抗擾度(適用于手持設(shè)備) IEC61000-4-4用于EFT抗擾度和IEC61000-4-5處理浪涌抗擾度(雷電和工業(yè)浪涌)。

集成電路的抗擾度性能如同便攜式電話和計(jì)算機(jī)等設(shè)備一樣。進(jìn)一步分為IEC文件(IEC 62132-1)中規(guī)定的四類中的一類。1A類性能定義為瞬態(tài)應(yīng)用期間規(guī)范限值內(nèi)的正常性能。 B類性能是暫時(shí)性降低或功能或性能損失,在瞬態(tài)消除后可自行恢復(fù)。 C類性能定義為臨時(shí)性降級(jí)或功能或性能損失,需要在移除瞬態(tài)后進(jìn)行操作員干預(yù)或系統(tǒng)復(fù)位。 D類性能是由于數(shù)據(jù)損壞或丟失而無(wú)法恢復(fù)的永久性降級(jí)或功能喪失。

各種標(biāo)準(zhǔn)組織已使用標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試和監(jiān)測(cè)分析了瞬態(tài)電壓事件,并就多個(gè)級(jí)別的保護(hù)達(dá)成了一致意見需要根據(jù)條件的特點(diǎn)(表1)。考慮到用于這些應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器,I/O晶體管半導(dǎo)體類型的特性和限制(表2)。

電壓電流上升時(shí)間持續(xù)時(shí)間照明25 kV 20 kA10μs1ms開關(guān)600 V 500 A50μs500ms EMP 1 kV 10 A 20 ns 1 ms ESD 15 kV 30 A 《1 ns 100 ns

表1:幾種瞬態(tài)類型的主要特性。

器件類型漏洞(伏特) VMOS 30-1800 MOSFET 100-200 GaAsFET 100-300 EPROM 100 JFET 140-7000 CMOS 250-3000肖特基二極管300-2500雙極晶體管380-7000 SCR 680-1000

表2:器件接口技術(shù)磁化率特性。

除其他因素外,受ESD或EFT事件影響的MCU性能受其工藝技術(shù),IC封裝,印刷電路板(PCB),MCU上運(yùn)行的軟件以及ESD特性的影響或EFT活動(dòng)。

像TMS320F28035PAGT這樣的德州儀器微控制器將符合IEC標(biāo)準(zhǔn),但仍然會(huì)受到大量沖擊的影響,尤其是在連接SD/MMC卡,USB,IEE1394和千兆以太網(wǎng)等應(yīng)用的電纜和連接器時(shí)。

汽車應(yīng)用也可以引入高壓放電。飛思卡爾半導(dǎo)體MCU(如MCF5329CVM240)利用該公司及其前身(摩托羅拉)在軍用和航空航天硬化處理器發(fā)展過程中進(jìn)行的廣泛測(cè)試和故障分析。他們將電氣過應(yīng)力(EOS)的兩種失效機(jī)制隔離,作為施加在引腳上的總能量的函數(shù)。在一種情況下,鍵合線可以熔合,如果鍵合線可以將電荷傳遞到內(nèi)部I/O焊盤,則可以進(jìn)行熔絲管金屬化(圖1)。

圖1:如果允許通過,即使有內(nèi)部保護(hù),只需1 A即可導(dǎo)致芯線熔斷和基板金屬化。

STMicroelectronics等微控制器制造商使用各種自己的測(cè)試系統(tǒng)(如Fast) Transient Burst [FTB]測(cè)試儀)用于測(cè)試STM32F429IIT6等MCU,后者具有高性能ARM?32位Cortex?-M4處理主干,可與幾個(gè)對(duì)ESD敏感的外部I/O結(jié)構(gòu)連接。/p》

對(duì)于STM8S 8位MCU系列,ST在產(chǎn)品特性描述期間以樣品為基礎(chǔ)進(jìn)行磁敏度測(cè)試。對(duì)于功能性EMS,在執(zhí)行簡(jiǎn)單應(yīng)用程序(通過I/O端口切換兩個(gè)LED)時(shí),產(chǎn)品會(huì)受到兩個(gè)電磁事件的壓力,直到發(fā)生故障(由LED指示)。對(duì)于ESD,靜電放電(正極和負(fù)極)施加在器件的所有引腳上,直到發(fā)生功能性干擾。該測(cè)試符合IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于FTB,通過100 pF電容將一連串快速瞬態(tài)電壓(正和負(fù))施加到VDD和VSS,直到發(fā)生功能性干擾。該測(cè)試也符合IEC 61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)。

器件復(fù)位允許恢復(fù)正常操作。測(cè)試結(jié)果基于應(yīng)用筆記AN1709中定義的EMS級(jí)別和類別。

所有MCU供應(yīng)商都使用精心設(shè)計(jì)的做法來(lái)降低其產(chǎn)品對(duì)ESD事件的敏感性。但是,正如Microchip Technology在應(yīng)用筆記AN595中所述,3保護(hù)電平因引腳而異,反映了每個(gè)引腳的不同功能。某些類型的引腳(特別是電源引腳)比其他引腳更容易受到ESD脈沖引起的閂鎖的影響。這是由于不同的設(shè)計(jì)和布局考慮因素降低了ESD保護(hù)的有效性。

因此,具有高EMC抑制性的IC減少了對(duì)外部元件的需求,因此通常采用片上IEC-ESD保護(hù)適用于實(shí)驗(yàn)室和便攜式設(shè)備,這些設(shè)備很可能因人體接觸連接器和電纜而出現(xiàn)放電事件,但對(duì)于工業(yè)環(huán)境中發(fā)生的EFT和浪涌瞬變可能不夠。因此,穩(wěn)健可靠的設(shè)計(jì)可能需要外部瞬態(tài)保護(hù)裝置。

保護(hù)解決方案

保護(hù)非常短時(shí)間內(nèi)極高瞬態(tài)的最古老但最有效的技術(shù)之一是限制高壓條件下的浪涌電流。雖然較小的焊盤無(wú)法在物理上處理較大焊盤所能達(dá)到的電流密度,但它們可以在不損壞的范圍內(nèi)可靠地分流功率。外部無(wú)源器件在此處非常有用,可以衰減和減慢損壞的電平。

典型的3.3 V系統(tǒng)具有災(zāi)難性的I/O焊盤故障模式,可以使用22Ω的短路串聯(lián)電阻,以限制電源電流。在許多非高速應(yīng)用的正常操作期間,串聯(lián)電阻不會(huì)影響性能。在短路故障期間,當(dāng)暴露于電源短路時(shí),?W22Ω電阻將電流限制在150 mA。這仍然是一個(gè)系統(tǒng)故障,但不太可能著火。

系列鐵氧體也可用于抑制瞬時(shí)電流突發(fā),它們可以帶來(lái)衰減高頻EMI和RFI的額外好處。但請(qǐng)注意,因?yàn)檫@些“電感性”部件會(huì)在某些條件下引入尖峰。

這些無(wú)源低成本解決方案對(duì)于VCC故障和相當(dāng)?shù)偷碾妷旱赡苁歉唠娏鞴收戏浅S行АH欢邏杭夥蹇梢圆⑶掖_實(shí)會(huì)造成嚴(yán)重破壞。例如,即使我們的22Ω示例在典型的8 kV靜電放電期間仍將允許363 A的瞬時(shí)電流。這里的并聯(lián)電容也可以通過將其分流遠(yuǎn)離微型I/O線來(lái)限制浪涌電流(圖2)。

保護(hù)微控制器I/O線不受ESD和其他瞬變影響的設(shè)計(jì)技術(shù)

圖2:被動(dòng)R/C時(shí)間常數(shù)可用于限制較高級(jí)別的峰值,直到較慢響應(yīng)的抑制器可以參與。請(qǐng)注意,耗散的能量是相同的(曲線下面積)。

請(qǐng)記住,靜電放電通常是非常快的事件。結(jié)果,電容器不必存儲(chǔ)大量電荷。事實(shí)上,你不需要大電容。它會(huì)扭曲信號(hào)并降低數(shù)字性能。它必須足夠減慢電壓上升速率,以允許電路以更可控的方式吸收能量。對(duì)于像某些汽車設(shè)計(jì)這樣可能充滿EMI的環(huán)境中的低速信號(hào),這很好。

可以使用無(wú)數(shù)的分立器件甚至R/C陣列來(lái)分接多個(gè)可能暴露的I/O線路。這些技術(shù)可以與半導(dǎo)體瞬態(tài)電壓抑制技術(shù)結(jié)合使用,這種技術(shù)可以非常快速地吸收和分流更高的電平;你想要快速的響應(yīng)時(shí)間。我們的22Ω示例暴露在8 kV電壓下,當(dāng)接地短路時(shí)幾乎會(huì)瞬間耗散3 MW的功率。

對(duì)于大多數(shù)正常環(huán)境,靜電不應(yīng)超過15 kV(但我們當(dāng)條件恰到好處時(shí),所有人都對(duì)高于平時(shí)的沖擊感到驚訝。這就是為什么通常需要保護(hù)幾條I/O線,即使它們不與外部導(dǎo)體耦合。小引腳間距可以讓電弧跳躍。德州儀器(TI)的通用TPD4E001 ESD保護(hù)陣列等多通道ESD器件可以為您提供幫助。 TI TPD4E001DRLR等部件提供30 kV范圍(+15至-15 kV)的雙向保護(hù)。

除通用部件外,還可提供專用設(shè)備,如設(shè)計(jì),作為用于USB充電器端口保護(hù)的TI TPD4S014DSQR,或用于VGA端口保護(hù)的供應(yīng)商TPD7S019-15DBQR。

Tyco還為其TE Connectivity部門提供滿足此需求的部件。 TE的硅ESD系列(SESD)尺寸與前幾代相比有所減小,最新的0201尺寸部件具有極低電容(0.6 pF)和可選電壓響應(yīng)范圍的系列元件。單通道,雙通道,四通道和六通道部件有助于縮小空間。

例如,請(qǐng)查看SESD0402P1BN-0450-090。該器件具有6 V的反向電壓隔離電平。當(dāng)暴露于典型的8 kV ESD事件時(shí)(圖3),它可以非常快速地達(dá)到9 V擊穿,并且在高達(dá)2 A的浪涌下非常有效地鉗位在12 V(圖4)

保護(hù)微控制器I/O線不受ESD和其他瞬變影響的設(shè)計(jì)技術(shù)

圖3:典型的8 kV ESD事件迅速增加,但在達(dá)到峰值之前被切斷。在幾納秒內(nèi),浪涌已經(jīng)穩(wěn)定,瞬態(tài)電荷已經(jīng)放電。

保護(hù)微控制器I/O線不受ESD和其他瞬變影響的設(shè)計(jì)技術(shù)

圖4:在經(jīng)受ESD事件時(shí),擊穿發(fā)生的速度足夠快,可以鉗制在或低于結(jié)論

結(jié)論

在將數(shù)字電路與外界連接時(shí),必須注意保護(hù)敏感電子設(shè)備。長(zhǎng)期以來(lái),工程師一直將其留給微控制器供應(yīng)商,為I/O線提供固有的保護(hù)。雖然它們做得非常好,但越來(lái)越多的電子設(shè)備更容易受到ESD的影響。

現(xiàn)在芯片尺寸與I/O焊盤相當(dāng),我們可能需要外部保護(hù),特別是ESD。幸運(yùn)的是,如果你知道在哪里尋找,有幾種技術(shù)可以提供解決方在大多數(shù)情況下,提供必要保護(hù)所需的電路小,便宜且易于理解。總體而言,在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí),MCU保護(hù)只需要一些預(yù)先考慮,以避免在部署系統(tǒng)后出現(xiàn)許多困難。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 微控制器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    48

    文章

    7936

    瀏覽量

    154266
  • IC
    IC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    36

    文章

    6110

    瀏覽量

    178944
  • 比較器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    1843

    瀏覽量

    108877
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    ESD保護(hù)界線新技術(shù)

    其他布線方面變量無(wú)關(guān)的匹配阻抗。新方法的技術(shù)原理圖2顯示了標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)元件的特征圖。電感元件表示的是源自邦定和連接至
    發(fā)表于 01-27 10:35

    ESD技術(shù)減小芯片的I/O尺寸

    。當(dāng)前新的緊密型靜電釋放(ESD)設(shè)計(jì)技術(shù)能縮減I/O尺寸,進(jìn)一步減小IC芯核的大小。  在半導(dǎo)體的生產(chǎn)中,主要的成本來(lái)自于晶圓面積的占用。如果能在一個(gè)晶圓上實(shí)現(xiàn)更多的器件將顯著降低成
    發(fā)表于 12-11 13:39

    轉(zhuǎn):改善基于微控制器的應(yīng)用的瞬態(tài)免疫性能

    來(lái)說變得更具挑戰(zhàn)性。由于傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)和電磁干擾(EMI)控制措施為節(jié)約成本讓路,家電設(shè)計(jì)者必須開發(fā)出新的技術(shù)來(lái)滿足不斷調(diào)整的電磁兼容(EMC)需求。本應(yīng)用筆記探討了瞬態(tài)電氣干擾對(duì)嵌入式微控制器
    發(fā)表于 06-07 11:46

    鋰電控制器ESD保護(hù)方案

    `鋰電控制器過流保護(hù)方案描述:隨著能源領(lǐng)域的發(fā)展,鋰電池已經(jīng)越來(lái)越被廣泛使用與各個(gè)領(lǐng)域,電池控制芯片的防護(hù)也越來(lái)越被關(guān)注,此解決方案提供電池極佳的過電流保護(hù),并
    發(fā)表于 05-27 09:39

    保護(hù)3制模擬輸出不受危險(xiǎn)工業(yè)變的方法

    Kevin Duke 在我的上一篇帖子中,我談到了集成技術(shù)是如何簡(jiǎn)化3制模擬輸出設(shè)計(jì)的。在這篇帖子中,我將為你展示一種方法來(lái)保護(hù)這些設(shè)計(jì)不受危險(xiǎn)工業(yè)
    發(fā)表于 09-12 11:35

    I/O接口ESD靜電防護(hù)方案圖

    I/O接口是主機(jī)與被控對(duì)象進(jìn)行信息交換的紐帶。眾所周知,靜電釋放ESD和雷擊會(huì)對(duì)電子線路造成嚴(yán)重的電力變。TVS二極管、ESD靜電
    發(fā)表于 09-24 14:02

    I/O接口ESD靜電防護(hù)解決方案

    I/O接口是主機(jī)與被控對(duì)象進(jìn)行信息交換的紐帶。眾所周知,靜電釋放ESD和雷擊會(huì)對(duì)電子線路造成嚴(yán)重的電力變。TVS二極管、ESD靜電
    發(fā)表于 10-29 13:43

    AN2764_改善基于微控制器的應(yīng)用的瞬態(tài)耐受性能_應(yīng)用說明

    本應(yīng)用筆記探討了瞬態(tài)電氣干擾對(duì)嵌入式微控制器(MCU)的影響,并提供了切實(shí)可行的硬件和軟件設(shè)計(jì)技術(shù),這些技術(shù)可以為電快速變 (EFT)、靜電放電(
    發(fā)表于 11-10 18:24 ?4次下載

    單線鍵盤接口可釋放微控制器I / O引腳

    在大多數(shù)鍵盤中,按一個(gè)鍵會(huì)關(guān)閉一個(gè)橋接xy矩陣中兩條的觸點(diǎn)。如果使用微控制器檢測(cè)鍵閉合,則檢查(x + y)行的狀態(tài)需要相同數(shù)量的I/O引腳。電路圖1僅占用一個(gè)空閑
    的頭像 發(fā)表于 11-10 16:51 ?968次閱讀

    基于微控制器8I/O端口實(shí)現(xiàn)8段條形圖LED顯示設(shè)計(jì)

    帶有數(shù)字顯示的儀器設(shè)計(jì)也許會(huì)受益于一個(gè)提供顯示參數(shù)的模擬版的副顯示。條形圖顯示提供了一種很容易解釋的圖形指示,該指示允許與它的滿刻
    的頭像 發(fā)表于 07-29 09:13 ?3524次閱讀
    基于<b class='flag-5'>微控制器</b>8<b class='flag-5'>線</b><b class='flag-5'>I</b>/<b class='flag-5'>O</b>端口實(shí)現(xiàn)8段條形圖LED顯示設(shè)計(jì)

    ADuCM320i:精密模擬微控制器,帶MDIO接口的14位模擬I/O,ARM Cortex-M3數(shù)據(jù)表

    ADuCM320i:精密模擬微控制器,帶MDIO接口的14位模擬I/O,ARM Cortex-M3數(shù)據(jù)表
    發(fā)表于 04-28 12:37 ?1次下載
    ADuCM320<b class='flag-5'>i</b>:精密模擬<b class='flag-5'>微控制器</b>,帶MDIO接口的14位模擬<b class='flag-5'>I</b>/<b class='flag-5'>O</b>,ARM Cortex-M3數(shù)據(jù)表

    集成NV RAM的微控制器設(shè)計(jì)指南

    本應(yīng)用筆記將幫助達(dá)拉斯半導(dǎo)體安全微控制器和高速微控制器的用戶在實(shí)現(xiàn)非易失性SRAM時(shí)提高可靠性。本筆記適用于安全和高速安全微控制器系列以及DS87C530高速微控制器。超出容差的電壓尖
    的頭像 發(fā)表于 03-01 14:13 ?1073次閱讀
    集成NV RAM的<b class='flag-5'>微控制器</b>設(shè)計(jì)指南

    I/O端口的ESD保護(hù)

    本應(yīng)用筆記描述了ESD如何威脅電子系統(tǒng)、造成的損壞類型、ESD的產(chǎn)生方式、使用的測(cè)試方法和波形、用于測(cè)試的人體和機(jī)器模型、IEC合規(guī)性水平、接觸和空氣放電。本文介紹了保護(hù)方法,詳細(xì)介紹了Maxim的
    的頭像 發(fā)表于 03-28 10:51 ?5918次閱讀
    <b class='flag-5'>I</b>/<b class='flag-5'>O</b>端口的<b class='flag-5'>ESD</b><b class='flag-5'>保護(hù)</b>

    用于 NEC 電子微控制器的電機(jī)控制 I/O 板、MC-IO 板

    用于 NEC 電子微控制器的電機(jī)控制 I/O 板、MC-IO 板
    發(fā)表于 05-06 18:29 ?0次下載
    用于 NEC 電子<b class='flag-5'>微控制器</b>的電機(jī)<b class='flag-5'>控制</b> <b class='flag-5'>I</b>/<b class='flag-5'>O</b> 板、MC-IO 板

    用于 NEC 電子微控制器的電機(jī)控制 I/O 板、MC-IO 板

    用于 NEC 電子微控制器的電機(jī)控制 I/O 板、MC-IO 板
    發(fā)表于 06-26 20:15 ?2次下載
    用于 NEC 電子<b class='flag-5'>微控制器</b>的電機(jī)<b class='flag-5'>控制</b> <b class='flag-5'>I</b>/<b class='flag-5'>O</b> 板、MC-IO 板
    主站蜘蛛池模板: 巴南区| 台南县| 白朗县| 平乡县| 靖西县| 安宁市| 库车县| 耿马| 库尔勒市| 晴隆县| 宜春市| 特克斯县| 德化县| 若尔盖县| 通城县| 岐山县| 鄄城县| 潮安县| 克拉玛依市| 松原市| 从化市| 即墨市| 揭西县| 康定县| 延吉市| 乌兰浩特市| 灌南县| 建昌县| 陆川县| 涟水县| 南江县| 呼图壁县| 万源市| 安徽省| 宁海县| 肥西县| 兰西县| 天门市| 麟游县| 巨野县| 廉江市|