采用氮化鎵材料的電子器件在無橋PFC電路中的應用(1)
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
ti
+關注
關注
113文章
8027瀏覽量
214806 -
PFC
+關注
關注
47文章
1019瀏覽量
108097 -
氮化鎵
+關注
關注
61文章
1790瀏覽量
117934
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
如何在開關模式電源中運用氮化鎵技術
完整的外部電路。圖3展示了用于在LTspice中進行評估的LT8418原理圖。
圖3.在LTspice仿真環境中評估采用GaN電源開關的S
發表于 06-11 10:07
京東方華燦光電氮化鎵器件的最新進展
日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效
氮化鎵（GaN）充電頭安規問題及解決方案
器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現突破，成為快充技術的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優勢：1.體積更小，功率密度更高
氮化硼散熱材料大幅度提升氮化鎵快充效能
器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現突破，成為快充技術的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優勢：1.體積更小，功率密度更高
氮化鎵充電器和普通充電器有啥區別？
相信最近關心手機行業的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后
發表于 01-15 16:41
碳化硅SiC在電子器件中的應用
隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統的硅（Si）材料在某些應用中已經接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅（
無橋PFC工作原理和電路結構
無橋PFC（Power Factor Correction，功率因數校正）技術是一種廣泛應用于電源電路的技術，旨在提高電源的功率因數，從而改善電源的有效使用效率。本文將詳細介紹
新品 | 3300W無橋圖騰柱PFC參考設計
新品3300W無橋圖騰柱PFC參考設計REF_3K3W_TP_SIC_TOLL3300W無橋圖騰柱PFC
分立器件在45W氮化鎵快充產品中的應用
成為市場上的新勢力。通常，氮化鎵充電器具有高效率、高功率密度、節能環保、熱量控制優秀、便攜性強、體積小、重量輕、充滿電時間短等優點，很多高端電子產品配置了氮化
氮化鎵和砷化鎵哪個先進
景和技術需求。 氮化鎵（GaN）的優勢 高頻與高效率 ：氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率，使得它在高頻和高功率應用中表現出色。例如，
碳化硅與氮化鎵哪種材料更好
引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應用前景的第三代半導體材料。它們具有高熱導率、高電子遷移率、高擊穿場強等優異的物理化學性質，被廣泛應用于高溫、高頻、高功率等極端環
有橋pfc與無橋pfc的區別是什么
有橋PFC（Power Factor Correction，功率因數校正）和無橋PFC是兩種不同的功率因數校正技術。它們
無橋pFc電路電流檢測電路的作用
引言 電力電子技術是現代電力系統的重要組成部分，其核心是實現電能的有效轉換和控制。在電力電子電路中，電流檢測是保證電路正常運行和故障診斷的關
工商網監
評論