前不久，鎂光起訴晉華侵權(quán)的訴訟已遭美國聯(lián)邦法院駁回，理由是晉華的產(chǎn)品并沒有在美國銷售，即使晉華有侵權(quán)的事實，美法院也沒有管轄權(quán)。

不過即便如此，鎂光也可以再補強證據(jù)，繼續(xù)起訴，把訴訟周期拉長。另外，本次被駁回的侵權(quán)起訴和美國司法部出面指控福建晉華、聯(lián)電非法取得 DRAM 存儲技術(shù)并非同一個案件，也就是說，即便美國聯(lián)邦法院駁回起訴，也不意味著晉華就此脫困。

對于本次事件，有業(yè)內(nèi)人士分析，晉華最大的敗筆就是在技術(shù)上過于依賴聯(lián)電，以及沒有把研發(fā)中心設(shè)在境內(nèi)。

聯(lián)電和鎂光之間最初只是商業(yè)糾紛

近年來，在中國大陸企業(yè)力圖收購或入股鎂光、SK海力士、閃迪/西部數(shù)據(jù)未能如愿之后，中國大陸企業(yè)放棄了直接收購的計劃，選擇了高薪挖人的方式，直接以2倍、3倍、4倍的薪酬從境外公司挖人。

鎂光在中國***的合資公司華亞科等企業(yè)則是重點挖人對象之一，據(jù)媒體報道，已經(jīng)有數(shù)百名員工跳槽到中國大陸的長江存儲、合肥睿力等企業(yè)。

根據(jù)鎂光公司公布的資料，一位跳槽的員工通過閃存盤盜取了公司的技術(shù)資料，然后交給了新東家聯(lián)華電子公司的高管，屬于“帶槍叛逃”。隨即鎂光在去年2月和9月分別在中國***和美國對聯(lián)電提起訴訟。

由于晉華在存儲芯片上缺乏技術(shù)積累，選擇了與聯(lián)電合作的技術(shù)引進(jìn)道路，由晉華出資，委托聯(lián)電開發(fā) DRAM 相關(guān)技術(shù)。根據(jù)中國***“地檢署”公布的資料，晉華提供三億美元資金采購研發(fā)設(shè)備，并依進(jìn)度陸續(xù)支付聯(lián)電四億美元，開發(fā)出的技術(shù)成果雙方共有，整體技術(shù)完成后，再轉(zhuǎn)移到晉華進(jìn)行量產(chǎn)。

由于晉華和聯(lián)電的這種關(guān)系，使鎂光和聯(lián)電的糾紛波及到晉華。隨后，聯(lián)電和晉華在大陸對鎂光發(fā)起了訴訟，聯(lián)電和晉華認(rèn)為，包括鎂光MX500系列的2TB、1TB、500GB、250GB 2.5英寸的固態(tài)硬盤的數(shù)款產(chǎn)品存在侵權(quán)行為。

到這個階段為止聯(lián)電、晉華和鎂光的矛盾還處于商業(yè)糾紛的階段，并沒有被政治化。

晉華是為聯(lián)電擋槍

真正把鎂光逼急了的是福州中院的一個裁定——福州市中級人民法院做出了一個非常有智慧的裁定，要求鎂光立即停止銷售、進(jìn)口十余款英睿達(dá)固態(tài)硬盤、內(nèi)存條及相關(guān)芯片，并刪除其網(wǎng)站中關(guān)于上述產(chǎn)品的宣傳廣告、購買鏈接等信息。

這里說明一下，裁定僅用于解決程序性問題，也就是說，法院并沒有認(rèn)定鎂光的數(shù)款產(chǎn)品存在侵權(quán)行為。該裁定只是為了防止在訴訟審理期間，鎂光在中國內(nèi)地銷售產(chǎn)品、開展業(yè)務(wù)的活動可能會對聯(lián)電和晉華造成的利益損失。

但這種裁定雖然沒有就實體部門做出任何裁決，但起到的作用和鎂光敗訴的效果沒兩樣，這就使鎂光非常難受。因此，鎂光游說美國相關(guān)部門，要求美國政府出面施加壓力，也是情理之中。

接著，晉華就被制裁了。根據(jù)美國商務(wù)部公開的資料，之所以制裁晉華，主要是因為晉華“涉嫌參與違反美國國家安全利益的活動，構(gòu)成了重大風(fēng)險”，至于證據(jù)什么的一概沒提。可以說，原本一起商業(yè)糾紛，被一些人利用之后過度政治化，這就是晉華被制裁的原因之一。

從整個過程來看，本次晉華實際上是給聯(lián)電擋槍。

因為與鎂光存在知識產(chǎn)權(quán)糾紛的是聯(lián)電，而不是晉華。晉華只不過是出錢委托聯(lián)電研發(fā)技術(shù)，然后通過技術(shù)轉(zhuǎn)讓的方式，獲得聯(lián)電研發(fā)的技術(shù)成果，聯(lián)電在研發(fā)DRAM技術(shù)過程中，是否存在侵犯知識產(chǎn)權(quán)的情況，這與晉華無關(guān)。

即便鎂光和聯(lián)電存在知識產(chǎn)權(quán)糾紛，那也應(yīng)該由鎂光和聯(lián)電這對當(dāng)事人之間解決，不應(yīng)該由案外第三人晉華來承擔(dān)負(fù)面后果。在整個事件中，即便要找責(zé)任承擔(dān)者，也應(yīng)該是聯(lián)電，而不是晉華，晉華只不過找合作伙伴的時候遇人不淑，純屬躺著中槍。

正是因此，工信部部長苗圩在1月29日表示，去年10月份以后，美國商務(wù)部泛化了國家安全的概念，濫用出口管制措施，以所謂“可能使用了來自美國的技術(shù)，威脅到了美國的軍事系統(tǒng)基本供應(yīng)商的長期生存能力”為由，用“可能使用了”、“可能威脅到了”等理由，對福建一家還在建設(shè)過程當(dāng)中、產(chǎn)品還沒有量產(chǎn)的企業(yè)實施了出口管制，“我們認(rèn)為是站不住腳的”。

技術(shù)依賴聯(lián)電研發(fā)中心設(shè)在境外成為敗筆

目前，長江存儲、福建晉華、合肥長鑫是中國存儲芯片的三駕馬車。其中，以長江存儲的表現(xiàn)最好。此前，紫光集團董事長趙偉國就表示，2019年量產(chǎn)64層128Gb的3D NAND，并同步研發(fā)128層256Gb的3D NAND。

紫光之所以能夠做得比較好，就是因為從一開始就堅持走自主技術(shù)的路線，一方面整合了國內(nèi)武漢新芯和西安華芯這些有一定基礎(chǔ)的內(nèi)資企業(yè)，同時大肆從海外挖人，比如高薪聘請了在中國***有“存儲教父”之稱的高啟全。在整合海內(nèi)外力量之后，形成了自己的研發(fā)能力和研發(fā)隊伍，因而可以避開海外大廠的專利。

高啟全

此外，長江存儲還依靠自己的力量研發(fā)出了64層的3D NAND，得益于Xtacking技術(shù)。這項技術(shù)可以使產(chǎn)品開發(fā)時間縮短三個月，生產(chǎn)周期可縮短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比傳統(tǒng)3D NAND擁有更高的存儲密度。這使得紫光的64層的3D NAND性能可以接近國際大廠的96層3D NAND。

這與晉華在技術(shù)上高度依賴聯(lián)電形成鮮明對比——在晉華被制裁之后，聯(lián)電馬上撤出了上百名技術(shù)骨干，直接導(dǎo)致晉華研發(fā)工資停擺。

把研發(fā)中心設(shè)置在境外，也是晉華的一大敗筆。因為如果把研發(fā)中心放在中國大陸，那么，國外大廠要調(diào)查取證會比較麻煩，而晉華和聯(lián)電合作的研發(fā)中心恰恰設(shè)在***地區(qū)的南科廠區(qū)，這讓鎂光很容易狙擊聯(lián)電和晉華。

既然如此，那么為何當(dāng)初晉華和聯(lián)電不把研發(fā)中心放在境內(nèi)？

首先，臺商不愿意。一直以來，臺商在與大陸廠商技術(shù)合作中都是非常保守的，在技術(shù)上可謂嚴(yán)防死守。

其次，研發(fā)中心放***也更省錢。因為辦公大樓、研發(fā)設(shè)備、研發(fā)人員全部遷移到中國大陸，是一筆不小的開支，特別是如今中國大陸一線大城市房價、地價節(jié)節(jié)、生活成本攀升的情況下，研發(fā)中心放在中國大陸，成本優(yōu)勢已經(jīng)沒有了，反而還要額外支付一筆搬遷費用。

而在整個過程中，晉華是純資本，缺乏一個有經(jīng)驗的技術(shù)團隊，因而即便資料全部給過來，晉華也消化不了，而聯(lián)電才是項目研發(fā)的實際主導(dǎo)者，話語權(quán)掌握在聯(lián)電手里，對于聯(lián)電來說，無論從經(jīng)濟性，還是從技術(shù)保密性的角度看，放在***地區(qū)的南科廠區(qū)，顯然對自己更有利。