力源信息文章

• “四兩撥千斤”，寬禁帶技術如何顛覆性創新2023-12-16 08:30

  

  在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓

  半導體 半導體器件 材料 1019瀏覽量

• 為什么EliteSiC M3S技術是高速開關應用的更優選擇？2023-12-08 15:54

  

  安森美汽車電源部應用工程師碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介電擊穿場強、能帶隙和熱導率，電力電子設計人員可以利用這些特性來開發比硅基IGBT器件效率更高、功率密度更大的電源轉換器。針對這些應用，為了最大限度地減少高頻下的導通和開關損耗，需要使用低RDS(on)和低Qrr（體二極管反向恢復電荷）的器件。本文將介紹三相功率因數校正(PFC)轉

  IGBT 電源轉換器 高速開關 597瀏覽量

• 邊緣計算：節約能耗，助力更環保、更智慧的解決方案2023-12-02 08:30

  

  物聯網（IoT）和人工智能（AI）正在改變產業和社會，將自動化在日常生活中變為可能，同時解鎖在過去難以實現的理念和功能。邊緣計算可以在產生數據的地方即時處理數據，而無須在遠端的數據中心處理，提供更環保、更智慧的解決方案。將AI移至邊緣自21世紀初以來，傳感器經歷了非比尋常的發展。受益于物聯網的誕生，可以連線通訊的智慧傳感器無所不在。預計到2030年，因5G的

  人工智能 物聯網 邊緣計算 1030瀏覽量

• SiC如何推動車載充電技術向800V邁進？2023-11-18 08:29

  

  雖然“續航焦慮”一直存在，但混合動力、純電動等各種形式的電動汽車(EV)正被越來越多的人所接受。汽車制造商繼續努力提高電動汽車的行駛里程并縮短充電時間，以克服這個影響采用率的重要障礙。電動汽車的易用性和便利性受到充電方式的顯著影響。由于高功率充電站數量有限，相當一部分車主仍然需要依賴車載充電器(OBC)來為電動汽車充電。為了提高車載充

  SiC 電動汽車 車載充電器 1233瀏覽量

• 力源信息蟬聯“十大中國品牌分銷商”2023-11-04 08:31

  

  2023年11月3日，由全球電子技術領域的知名媒體集團ASPENCORE主辦的“2023年度全球分銷與供應鏈領袖峰會暨全球電子元器件分銷商卓越表現獎頒獎典禮”在深圳隆重舉行。武漢力源信息技術股份有限公司憑借著穩健的經營和積極的業務開拓，以及多來在電子元器件分銷行業的深厚積累，穩居榜單并再次榮獲2023年“十大中國品牌分銷商”大獎，這已是力源信息連續八年蟬聯該

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• 安森美SiC主驅逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣2023-10-21 08:30

  

  本文作者：安森美汽車主驅解決方案高級產品線經理JonathanLiao不斷增長的消費需求、持續提高的環保意識/環境法規約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車(EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到2023年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的10%；到2030年，預計將增長至30%；到2035年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車

  SiC 安森美 逆變器 962瀏覽量

• ST經Qi認證的無線電源解決方案：充分激發無線的力量2023-10-14 08:31

  

  為了給個人電子設備提供安全高功率無線充電，產品必須解決一系列設計挑戰和難題，其中包括能效、通信可靠性、異物檢測（FOD），以及過熱、過壓和過流等保護。作為無線充電WPC聯盟的資深成員，意法半導體多年來一直基于行業標準Qi無線充電系統平臺提供設計解決方案，為行業提供一套功能完整的收發解決方案。ST經Qi認證的無線電源解決方案意法半導體的無線電源解決方案能夠實現

  無線 電源 認證 904瀏覽量

• 意法半導體位置感知移動網絡IoT模塊獲得沃達豐NB-IoT認證2023-09-11 08:32

  

  ST87M01NB-IoT模塊現已通過世界排名前列的移動通信網絡運營商沃達豐的測試和入網許可意法半導體宣布ST87M01NB-IoT和GNSS模塊獲得沃達豐NB-IoT認證。ST87M01在一個小型化、低功耗、集成化模塊中整合移動物聯網接入和地理定位功能，適用于各種物聯網和智能工業用途。意法半導體工業和功率產品轉換產品部總經理DomenicoArrigo表示

  IOT 意法半導體 網絡 926瀏覽量

• 關于碳化硅 (SiC)，這些誤區要糾正2023-08-18 08:33

  

  碳化硅(SiC)是一種新興的新型寬禁帶(WBG)材料，特別適用于具有挑戰性的應用。然而，大家對它的諸多不了解限制了設計人員對它的充分利用。圖1：SiC晶圓圖片有些人認為，氮化鎵(GaN)是硅MOSFET的首選替代品，而SiC純粹是IGBT的替代品。然而，SiC具有出色的RDS(ON)*Qg品質因數(FoM)和低反向恢復電荷(Qrr)，這使其成為圖騰柱無橋PF

  SiC 材料 電荷 碳化硅 1830瀏覽量

• 美浦森N溝道超級結MOSFET SLH60R028E72023-08-18 08:32

  

  SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要。超結MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。封裝特性美浦森S

  MOS MOSFET 電阻 1419瀏覽量