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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,適用于移動設備和消費電子

Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,適用于移動設備和消費電子

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2013-12-09 10:06:45

提高IPM系統級功率密度以應對新壓力

星期二海報對話會議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統級功率密度Jonathan Harper,安森美半導體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21

新產品# MP8030 全集成802.3af/at/bt 兼容PoE PD 接口,集成高效率反激/正激控制器

802.3af/at/bt功能。該器件還集成了一個用于≤51W 應用的 100V 熱插拔 MOSFET 、一個用于>51W功率應用效率優化的GATE1 驅動器,以及一個支持外部低導
2022-09-27 11:09:19

權衡功率密度效率的方法

整個壽命周期成本時,逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環境效益的大幅提升。另一方面,將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中,即提高“功率密度”,可以更有效地利用工廠或數據中心
2020-10-27 10:46:12

設計基于SiC-MOSFET的6.6kW雙向EV車載充電器

使用圖騰柱無橋PFC升壓轉換器,以減少二極管數量并提高效率[6],[7]。但是,硅MOSFET體二極管的反向恢復會導致連續導通模式(CCM)中的功率損耗,從而使其不適用于功率應用。隨后,與SiC
2019-10-25 10:02:58

設計實例:30-W/in3, 93.4% efficiency, 100-W AC/DC

`一款高效率功率密度的AC/DC適配器解決方案,具有較寬的輸入電壓范圍(100-240-V AC),適用于筆記本電腦適配器和智能手機充電器應用。該設計包括一個基于UCC28056的前端過渡模式
2019-01-16 10:54:03

請問怎樣去設計一種高效率音頻功率放大器?

怎樣去設計一種高效率音頻功率放大器?如何對高效率音頻功率放大器進行測試驗證?
2021-06-02 06:11:23

采用TPS562209適用于雙輸出系統的參考設計

+5V 輸出。這一簡單設計可打造高效、低成本解決方案,適用于雙輸出系統。峰值效率超過 92%。特性 可利用單個設備和單個功率級生成兩個輸出。TPS562209 采用小型 SOT23 封裝。DCAP2
2022-09-16 07:52:20

降壓恒壓 SL3041 高效率 低功耗 可實現72V降壓5V

、SL3041的應用 SL3041適用于各種需要降壓恒壓的電路中,如電池充電器、LED照明、電子儀器。該器件可以將72V輸入電壓降至5V,為電路提供穩定的供電電壓。同時,由于其高效能和低功耗的特點
2023-10-23 15:44:10

集成MOSFET如何提升功率密度

開發人員來說,功率密度是一個始終存在的挑戰,對各種電壓下更高電流的需求(通常遠低于系統總線)帶來了對更小的降壓穩壓器的需求,這樣的穩壓器可通過一個單極里的多個放大器,將電壓從高達48 V降至1 V,使其
2020-10-28 09:10:17

非隔離8-100V寬輸入降壓恒壓高效率小體積控制器

100V/10A 功率MOS輸出電壓從5V30V 可調支持輸出恒流高效率:可高達93%工作頻率:160KHz內置過溫保護內置軟啟動
2016-09-28 13:38:47

面向工業總線POL應用的高效24V輸入PMBus同步降壓轉換器

描述PMP11220 參考設計是一種高效率功率密度的 PMBus 同步降壓轉換器設計,用于對包括輸出電壓在內的電源進行編程和裕量調節。憑借適合工業總線應用的 24V 額定輸入,此設計允許對輸出
2018-12-21 11:49:47

飛兆半導體集成式智能功率級(SPS)模塊 具有更高的功率密度和更佳的效率

在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統供電應用中,提高效率功率密度是設計人員面臨的重大挑戰。為了應對挑戰,飛兆半導體研發了智能功率級(SPS)模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811

Vishay發布高性能非對稱雙片TrenchFET? MOSFET

---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里,導通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%,功率密度高25%,效率高5%,可節省空間,并簡化高效同步降壓轉換器的設計。
2014-02-10 15:16:51890

儒卓力推出了一款具有功率密度高效率MOSFET器件

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779

AN77-適用于大電流應用的高效率、高密度多相變換器

AN77-適用于大電流應用的高效率、高密度多相變換器
2021-04-27 15:55:052

高效率功率密度電力電子技術及案例分析

高效率功率密度電力電子技術及案例分析
2021-07-22 09:59:285

使用GaN實現高功率密度高效系統

(MOSFET),因為它能夠驅動更高的功率密度和高達 99% 的圖騰柱功率因數校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能,使用 GaN 進行設計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(如碳化硅)不同的一系列挑戰。
2022-07-29 14:06:52792

先進的LFPAK MOSFET技術可實現更高的功率密度

電力電子領域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:112783

具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計

電子發燒友網站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510

650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復超結 MOSFET適用于高效率和可靠的電動汽車充電應用

650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復超結 MOSFET適用于高效率和可靠的電動汽車充電應用
2022-11-15 20:17:570

基于WAYON維安MOSFET功率密度用于USB PD電源

基于WAYON維安MOSFET功率密度用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549

國巨推出適用于功率高效率LLC電路

這種切換式DC/DC功率轉換器可以實現更高的開關頻率并減少開關損耗,使其更適用于功率高效率應用。在電源領域的應用相當廣泛,包含:高端消費電子產品、工業電源管理以及電動車相關充電系統等。
2023-05-25 11:25:26645

Toshiba推出適用于USB設備和電池組保護的30V N溝道共漏MOSFET

?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22320

東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET適用于電池組保護

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10460

功率設備提升功率密度的方法

在電力電子系統的設計和優化中,功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277

Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度,增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355

Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

MOSFET旨在進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用中的功率密度,并顯著增強熱性能,從而為用戶帶來更為出色的性能體驗。
2024-03-12 10:38:14104

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