IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。 反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷
2023-04-08 09:36:26
1456 為什么有時(shí)候需要MOSFET柵極電阻?它應(yīng)該是什么價(jià)值?它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后?事實(shí)上,有許多電路是在沒有柵極電阻的情況下工作的,但添加一個(gè)可以防止一些潛在的問題。1000Ω很可能會(huì)起作用。
2023-07-06 11:10:48
954 
輸出電荷,該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。 另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。 IGBT驅(qū)動(dòng)電路中柵極電阻Rg的作用及選取方法 一、柵極電阻Rg
2012-07-25 09:49:08
總結(jié)一些設(shè)計(jì)法則。 柵極電阻:其目的是改善控制脈沖上升沿和下降沿的斜率,并且防止寄生電感與電容振蕩,限制IGBT集電極電壓的尖脈沖值。 柵極電阻值小——充放電較快,能減小開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗,增強(qiáng)工作
2011-08-17 09:26:02
相當(dāng)于一個(gè)RLC串聯(lián)回路,其中:Rg為驅(qū)動(dòng)電阻Rg,ext和內(nèi)部電阻Rg,int之和;Cg為IGBT輸入電容Cies,門極電容Gge和米勒電容Cgc之和;Lg為門極驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感Ls1。數(shù)學(xué)可描述為
2021-04-26 21:33:10
IGBT的開關(guān)速度減慢,能明顯減少開關(guān)過電壓尖峰,但相應(yīng)的增加了開關(guān)損耗,使IGBT發(fā)熱增多,要配合進(jìn)行過熱保護(hù)。Rg阻值的選擇原則是:在開關(guān)損耗不太大的情況下,盡可能選用較大的電阻,實(shí)際工作中按Rg
2011-08-17 09:46:21
適用于高頻切換的場合;IGBT 導(dǎo)通壓降低,耐壓高,所以適用于高壓大功率場合。所以從功耗的角度來說,應(yīng)用時(shí)要注意對(duì)于驅(qū)動(dòng)開關(guān)頻率、門極電阻和驅(qū)動(dòng)電壓的調(diào)節(jié),以符合系統(tǒng)溫升的要求,并且對(duì)于系統(tǒng)中的做出
2022-09-16 10:21:27
。IGBT的大小決定器件的寄生元件,包括相關(guān)的電容。一旦知道了寄生參數(shù)和系統(tǒng)參數(shù),就可以選擇最佳的柵極電阻值。在設(shè)計(jì)半橋式布局中的柵極驅(qū)動(dòng)時(shí),應(yīng)該認(rèn)真考慮圖1中的Rg_on和Rg_off。較低
2015-12-30 09:27:49
的重要性。此外,對(duì)于并聯(lián)IGBT而言,柵極電阻Rg 和柵極與發(fā)射極之間電容Cge (如果需要)的容差應(yīng)當(dāng)盡可能低。 圖5 測量示意圖 圖6 波形對(duì)比3.1.2 雜散電感Lδ建議把柵極電阻分成2/3部分
2018-12-03 13:50:08
RGext的大小設(shè)置一般給工程師發(fā)揮,請(qǐng)看示意圖: 門極總柵極電阻RGtot包含內(nèi)部柵極電阻RGint和外部柵極電阻RGext,即RGtot=RGint+ RGext 于是有,IGBT理論驅(qū)動(dòng)
2021-02-23 16:33:11
; 柵極電阻Rg與IGBT 的開通和關(guān)斷特性密切相關(guān),減小Rg值開關(guān)損耗減少,下降時(shí)間減少,關(guān)斷脈沖電壓增加;反之,柵極電阻Rg值增加時(shí),會(huì)增加開關(guān)損耗,影響開關(guān)頻率;應(yīng)根據(jù)浪涌電壓和開關(guān)損耗間最佳折衷
2012-06-19 11:38:41
) 和短路耐量之間的折衷關(guān)系,建議將柵極電壓選為 +VGE=14~15V,-VGE=5~10V,要確保在模塊的驅(qū)動(dòng)端子上的驅(qū)動(dòng)電壓和波形達(dá)到驅(qū)動(dòng)要求; 柵極電阻Rg與IGBT散熱器的開通和關(guān)斷特性
2012-06-19 11:20:34
電路的開關(guān)周期。二極管V應(yīng)選用正向過渡電壓低、逆向恢復(fù)時(shí)間短的軟特性緩沖二極管。 (3)、適當(dāng)增大柵極電阻Rg。實(shí)踐證明,Rg增大,使IGBT模塊的開關(guān)速度減慢,能明顯減少開關(guān)過電壓尖峰,但相應(yīng)的增加了
2012-06-19 11:26:00
;——IGBT 集電極與發(fā)射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極-發(fā)射極的電流;——IGBT 的結(jié)溫。如果IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動(dòng)電壓過低,則IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極
2018-10-18 10:53:03
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系?為什么?
2023-03-16 11:37:09
控制脈沖的前后沿陡度和防止振蕩,減少IGBT集電極大的電壓尖脈沖,需在柵極串聯(lián)電阻Rg,當(dāng)Rg增大時(shí),會(huì)使IGBT的通斷時(shí)間延長,能耗增加;而減少RF又會(huì)使di/dt增高,可能損壞IGBT。因此應(yīng)根據(jù)
2012-07-18 14:54:31
,不想搭建分立的原件,所以想要使用集成的驅(qū)動(dòng)電路。但是網(wǎng)上有IGBT驅(qū)動(dòng)板,IGBT驅(qū)動(dòng)核,IGBT驅(qū)動(dòng)芯,IGBT適配板,IPM,這些到底有啥區(qū)別?哪種最為簡單?`
2017-10-10 17:16:20
驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT 的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT 的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗;RG較小,會(huì)引起電流上升率增大,使IGBT 誤導(dǎo)通或損壞。RG
2012-09-09 12:22:07
請(qǐng)幫忙看下這個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路是否可行;如果可行,柵極電壓將會(huì)是多少,以及三極管Q1,Q2在IGBT導(dǎo)通時(shí)的工作狀態(tài)
2013-08-18 19:56:22
柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性有什么影響?
2021-06-08 06:56:22
關(guān)于mos管的驅(qū)動(dòng)知識(shí)點(diǎn)不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么?
2021-09-18 09:17:37
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
電阻電容的選型很重要,這關(guān)乎著每個(gè)電子產(chǎn)品的使用質(zhì)量、使用壽命等。選型不恰當(dāng),產(chǎn)品發(fā)生失效還是小事,嚴(yán)重可能會(huì)爆炸,危機(jī)人身安全也是有可能的。電阻選型規(guī)則1、電阻阻值優(yōu)先選用10系列,12系列,15
2018-11-02 17:40:45
具有更高的開關(guān)損耗。 對(duì)于低頻 (小于20kHz) 、高壓 (大于1000V) 、小或窄負(fù)載或線路變化、高工作溫度,以及超過5kw的額定輸出功率應(yīng)用,IGBT是首選。而MOSFET更適合低電壓 (小于
2022-06-28 10:26:31
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振,常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻,我想問為什么電阻可以抑制振蕩?請(qǐng)眾位大神解釋原因,呵呵,知其然不知其所以然!
2014-05-24 15:28:54
,降低了88%。還有重要的一點(diǎn)是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下,SiC-MOSFET的高速驅(qū)動(dòng)需要適當(dāng)調(diào)整外置的柵極電阻Rg。這在前文“與Si-MOSFET的區(qū)別”中也提到過。與IGBT
2018-12-03 14:29:26
Rg。關(guān)斷時(shí)SiC模塊沒有像IGBT那樣的尾電流,因此顯示與導(dǎo)通時(shí)同樣依賴于外置柵極電阻Rg的dV/dt。寄生電容:與IGBT的比較MOSFET(IGBT)存在柵極-漏極(集電極)間的Cgd(Cgc
2018-11-30 11:31:17
IGBT在matlab仿真中柵極怎么連接?為什么我畫的IGBT的柵極和電源、PWM連接不上?
2018-11-15 13:26:27
FPGA開發(fā)板前往觀展。 小梅哥2015年9月15日芯航線電子工作室進(jìn)度帖匯總:【芯航線FPGA學(xué)習(xí)平臺(tái)眾籌進(jìn)度帖】試看小梅哥fpga設(shè)計(jì)思想與驗(yàn)證方法視頻https://bbs.elecfans.com
2015-09-18 14:06:57
`一、實(shí)驗(yàn)儀器及硬件1、羅氏線圈電流探頭:2、多通道示波器及高壓差分探頭:3、手工繞制的空心電感:二、雙脈沖測試實(shí)驗(yàn)臺(tái)但是對(duì)于開發(fā)電力電子裝置的工程師,無須專門搭建測試平臺(tái),直接使用正在開發(fā)中
2021-05-17 09:49:24
不正常高電流電平狀態(tài)的IGBT。正常工作條件下,柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)為能夠盡可能快速地關(guān)閉IGBT,以便最大程度降低開關(guān)損耗。這是通過較低的驅(qū)動(dòng)器阻抗和柵極驅(qū)動(dòng)電阻來實(shí)現(xiàn)的。如果針對(duì)過流條件施加同樣的柵極關(guān)斷
2019-07-24 04:00:00
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 – ISO5852s,工作電壓隔離為 1.5kVrms,最小 CMTI 為 50 kV/μs整合了針對(duì)過流和誤開啟的保護(hù)功能,采用:DESAT 檢測軟關(guān)斷有源米勒鉗位滿足
2018-12-27 11:41:40
結(jié)構(gòu),相對(duì)于半橋結(jié)構(gòu)全橋電路輸出功率能力更強(qiáng),半橋拓?fù)涠嘤糜诤笝C(jī)輸出電流315A的焊接電源中。圖1 三相輸入半橋拓?fù)鋱D2 三相輸入全橋結(jié)構(gòu)2IGBT芯片技術(shù)中科君芯IGBT芯片技術(shù)歷經(jīng)穿通型(PT
2014-08-13 09:01:33
我們知道,mos管是電壓控制器件,與雙極性三極管不同的是,mos管的導(dǎo)通只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可,不需要柵極電流。所以本質(zhì)上,MOS管柵極上無需串聯(lián)任何電阻。 對(duì)于普通的雙
2023-03-10 15:06:47
技巧。對(duì)于電流測量而言,逆變器臂和相位輸出都需要諸如分流電阻等測量器件,以便應(yīng)付直通故障和電機(jī)繞組故障。控制器和/或柵極驅(qū)動(dòng)器中的快速執(zhí)行跳變電路必須及時(shí)關(guān)斷IGBT,防止超出短路耐受時(shí)間。這種
2019-10-06 07:00:00
描述對(duì)于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言,并聯(lián) IGBT 變得很有必要,因?yàn)樵谶@類應(yīng)用中,單個(gè) IGBT 無法提供所需的負(fù)載電流。此 TI 設(shè)計(jì)采用一個(gè)增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來
2018-12-07 14:05:13
(+/-20%) 下工作。該電路板帶有插件接頭引腳,兼容 C2000 HV 逆變器套件。主要特色適合 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器偏置的 Fly-Buck 電源,不帶光或輔助繞組反饋的初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)適合偏置兩個(gè)
2018-09-05 08:54:59
脈沖前后沿要陡峭; (2)柵極串連電阻Rg要恰當(dāng)。Rg過小,關(guān)斷時(shí)間過短,關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的集電極尖峰電壓過高;Rg過大,器件的開關(guān)速度降低,開關(guān)損耗增大; (3)柵射電壓要適當(dāng)。增大柵射正偏壓對(duì)減小
2011-08-18 09:32:08
電路中的正偏壓應(yīng)為+12~+15V;負(fù)偏壓應(yīng)為-2V~-10V。(4)IGBT 驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT 的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT
2012-06-11 17:24:30
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩,是否柵極電阻越大越好,為什么?請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
IGBT和SiC MOSFET的電壓源驅(qū)動(dòng)和電流源驅(qū)動(dòng)的dv/dt比較。VSD中的柵極電阻表示為Rg,控制CSD柵極電流的等效電阻表示為R奧特雷夫。 從圖中可以明顯看出,在較慢的開關(guān)速度(dv/dt
2023-02-21 16:36:47
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關(guān)負(fù)載。開關(guān)頻率:- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓:- 24V。平均最大電流:- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會(huì)有什么影響?
2023-01-04 09:00:04
,使IGBT的開關(guān)速度減慢,能明顯減少開關(guān)過 電壓尖峰,但相應(yīng)的增加了開關(guān)損耗,使IGBT發(fā)熱增多,要配合進(jìn)行過熱保護(hù)。Rg阻值的選擇原則是:在開關(guān)損耗不太大的情況下,盡可能選用較大的電阻, 實(shí)際工作
2011-10-28 15:21:54
權(quán)衡。檢測到IGBT過流后,進(jìn)一步的挑戰(zhàn)便是關(guān)閉處于不正常高電流 電平狀態(tài)的IGBT。正常工作條件下,柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)為能夠盡 可能快速地關(guān)閉IGBT,以便最大程度降低開關(guān)損耗。這是通過 較低的驅(qū)動(dòng)器阻抗
2018-08-20 07:40:12
電路中的參數(shù)。 1 柵極電阻和分布參數(shù)分析 IGBT在全橋電路工作時(shí)的模型如圖1所示。 RG+Rg是IGBT的柵極電阻, L01、L02、L03是雜散電感(分布電感), Cgc、Cge、Cce
2011-09-08 10:12:26
/RG+Rg; 式中△Uge=+Uge+|Uge|;RG是IGBT內(nèi)部電阻;Rg是柵極電阻。 驅(qū)動(dòng)電源的平均功率為: PAV=Cge△Uge2f, 式中.f為開關(guān)頻率;Cge為柵極電容。 1.5柵極
2016-11-28 23:45:03
/RG+Rg; 式中△Uge=+Uge+|Uge|;RG是IGBT內(nèi)部電阻;Rg是柵極電阻。 驅(qū)動(dòng)電源的平均功率為: PAV=Cge△Uge2f, 式中.f為開關(guān)頻率;Cge為柵極電容。 1.5柵極
2016-10-15 22:47:06
各位工程師大家好,初入電子領(lǐng)域,目前在研究高頻驅(qū)動(dòng)電路,在高頻柵極驅(qū)動(dòng)芯片的選型上遇到了難題,目前有沒有比TI的LMG1020,更適合小功率高頻驅(qū)動(dòng)的柵極驅(qū)動(dòng)芯片或者有沒有推薦的搜索網(wǎng)站,希望各位大佬指點(diǎn)一下
2023-02-21 11:10:50
IGBT特性主要受柵極偏置控制,而且受浪涌電壓影響。其di/dt明顯和柵極偏置電壓、電阻Rg相關(guān),電壓越高,di/dt越大,電阻越大,di/dt越小。而且,柵極電壓和短路損壞時(shí)間關(guān)系也很大,柵極偏置電壓越高,短路損壞時(shí)間越短。
2009-05-12 20:44:23
Rg具體會(huì)影響到那些參數(shù)?我個(gè)人的理解是①這個(gè)電阻對(duì)MOS管的開關(guān)頻率有關(guān),決定了對(duì)mos管的輸入輸出電容的充放電時(shí)間②匹配集成驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)能力,電阻越到,集成驅(qū)動(dòng)所需的最大驅(qū)動(dòng)電流也就越小。大家有什么看法,請(qǐng)教一下
2017-06-05 11:28:22
、請(qǐng)問:對(duì)于工作于600V直流母線的30~75A、1200V IGBT而言,ACPL-33x、ACPL-H342 這5顆帶miller鉗位保護(hù)的柵極驅(qū)動(dòng)光耦能否僅以單電源供電就能實(shí)現(xiàn)高可靠性驅(qū)動(dòng),相比于
2018-11-05 15:38:56
igbt工作原理
IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給 PNP 晶體管提供基極電流,使 IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使 IGBT 關(guān)斷。
2007-12-22 10:36:06
117 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng),基本電路參數(shù)的選擇原則,還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41
213
IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)
摘要:對(duì)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻及其驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了探討。提出了慢降柵壓過流保護(hù)和過
2009-07-15 07:57:59
2426 
IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護(hù)電路
IGBT的柵極過壓的
2010-02-17 17:13:01
1796 
IGBT的工作原理是什么?
IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使
2010-03-05 11:43:42
96992 1 前言
用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常
2011-08-10 11:16:02
5529 1 前言
用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放
2010-10-09 18:01:46
6373 
在IGBT的柵極電路中,主要考慮的因素包括柵極電壓U的正、負(fù)及柵極電阻R的大小。它們對(duì)IGBT的導(dǎo)通電壓、開關(guān)時(shí)間
2010-11-09 17:10:56
1145 
富士IGBT模塊選型
2011-01-06 16:12:53
0 利用silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行了仿真,在同一電流密度下提取了不同柵極寬度IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨柵極寬度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于相同的元
2011-12-05 15:28:54
31 IGBT選型參考一文介紹了IGBT元件的性能.參數(shù)
2016-06-17 16:57:24
51 碩凱電子SOCAY壓敏電阻MOV工作原理及選型應(yīng)用
2017-04-19 09:14:29
25 RG增加,將使IGBT的開通與關(guān)斷時(shí)間增加,因而使開通與關(guān)斷能耗均增加。而柵極電阻減小,則又使di/dt增大,可能引發(fā)IGBT誤導(dǎo)通,同時(shí)RG上的損耗也有所增加。
2017-05-16 09:05:37
5142 
來控制器件的開關(guān)速度,達(dá)到優(yōu)化器件效率的目的。在IGBT出現(xiàn)工作異常時(shí)(例如短路),可以通過調(diào)整柵極電阻來控制器件的工作狀態(tài),防止器件損壞達(dá)到保護(hù)器件的目的。
2017-05-17 09:58:21
3775 
有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,如落木源TX-K841L、TX-KA962F,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。
2017-06-10 10:59:17
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igbt驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)igbt并對(duì)其整體性能進(jìn)行調(diào)控的裝置,它不僅影響了igbt 的動(dòng)態(tài)性能,同時(shí)也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 igbt 和驅(qū)動(dòng)器損壞。
2017-11-23 08:38:17
45070 會(huì)議強(qiáng)調(diào),生活垃圾焚燒發(fā)電項(xiàng)目是鎮(zhèn)雄縣城鎮(zhèn)化發(fā)展中解決生活垃圾處理難題的現(xiàn)實(shí)需要,是提升城鄉(xiāng)人居環(huán)境、加快生態(tài)文明建設(shè)步伐的迫切需求。一定要統(tǒng)一思想,充分認(rèn)識(shí)實(shí)施生活垃圾焚燒發(fā)電項(xiàng)目的現(xiàn)實(shí)意義;要盡快完善項(xiàng)目實(shí)施方案,抓緊啟動(dòng)項(xiàng)目招標(biāo)工作,加快推進(jìn)項(xiàng)目相關(guān)工作進(jìn)度,確保項(xiàng)目盡快落地。
2018-07-03 10:18:00
1840 IGBT由柵極(G)、發(fā)射極(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。
2019-04-24 15:38:23
83762 IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能:一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:00
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柵極電路的正偏壓VGE、負(fù)偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小,對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。
2020-06-18 08:00:00
42 中的功率消耗或損耗、發(fā)送到功率半導(dǎo)體開關(guān) (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件(例如外部柵極電阻器兩端)的功率損耗。在以下示例中,我們將討論使用 Avago ACPL-332J(2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器)的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本
2021-06-14 03:51:00
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IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:00
24 中的變流器即可。在該平臺(tái)上得到的信息可以充分反映變流器的實(shí)際情況。 三、實(shí)驗(yàn)前的計(jì)算 我們以FF1000R17IE4為被測對(duì)象,做一次計(jì)算: 原文標(biāo)題:MOS和IGBT的區(qū)別講解(三)-柵極電阻選型測試(大功率) 文章出處:【微信公眾號(hào):張飛實(shí)戰(zhàn)
2021-04-04 17:42:00
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介紹了柵極電阻的作用。
2021-06-21 15:08:28
26 MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作,但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。
2022-07-29 16:18:32
4159 本文對(duì)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻及IGBT的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了探討。給出了過電流保護(hù)及換相過電壓吸收的有效方法。
2022-08-23 09:40:24
27 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2022-11-15 19:51:24
5 對(duì)于IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器電氣過應(yīng)力測試(EOS測試),設(shè)置了一個(gè)非常接近真實(shí)條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電容器和電阻器。對(duì)于軸向型柵極電阻Rg,使用2 W額定功率金屬電阻器。
2022-12-22 15:59:25
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IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS,集電極電流IC類似于漏極電流ID,集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。
2023-02-14 13:50:40
6430 IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極
2023-02-24 10:56:12
7 貼片電阻(SMD Resistor)是金屬玻璃鈾電阻器中的一種,是將金屬粉和玻璃鈾粉混合,采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上制成的電阻器。它具有小體積、輕質(zhì)化等特點(diǎn),且能夠滿足電子設(shè)備對(duì)于電阻值和工作精度要求
2023-07-19 11:15:42
1066 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:54
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選型IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù),因?yàn)檎_的IGBT選擇對(duì)于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT,并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:56
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IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因?
2023-09-16 08:32:13
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igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管,由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14
622 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《柵極寬度對(duì)IGBT通態(tài)壓降的影響.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-25 10:45:41
0 功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)柵極電阻選型注意事項(xiàng)
2023-11-23 16:56:32
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IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),關(guān)鍵元件該怎么選?
2023-11-30 18:02:38
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型號(hào)和規(guī)格,以確保其穩(wěn)定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個(gè)參數(shù)的考慮,下面將詳細(xì)介紹這些參數(shù)。 額定電壓(Vce):這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據(jù)應(yīng)用需求,選擇的IGBT型號(hào)的額定電壓應(yīng)大于應(yīng)用中最高電壓。 額定電流(Ic):這是指IGBT能夠承受的最大連續(xù)電流。根據(jù)應(yīng)用需求,選擇的
2024-03-12 15:31:12
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評(píng)論