晶體管的基射輸入電路,常需要用電阻限流,但是為什么一上來就是基射級輸入電壓減去發(fā)射結導通壓降0.7(以NPN硅晶體管為例)再除以基極電阻即為基級輸入電流?而不是先判斷晶體管發(fā)射結是否導通或者處于何種導通程度的狀態(tài)?
2024-03-07 22:56:47
Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT),采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
?單向導電性的,是二極管,不是PN結!?
真正令 PN結 導不了電的,關非 過不去,而是? 離不開及進不來,
交叉對流無障礙,背道而馳不允許,所以,當PN結成了集電結,單向導電性就被打破了。
2024-02-25 08:57:14
1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應管能夠正常工作,應在其柵源之間加負向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間加正向電壓,以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
,提高 整機效率,取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基 整流二級管。 DK5V100R10ST1采用TO-220F封裝。 主要特點&n
2024-01-27 16:56:04
下的電流是由電荷載流子產生的。這種類型的電荷載流子產生過程會進一步增加正向和反向偏置條件下的電流。PN結二極管中的電流取決于整個PN結二極管結構中的電荷載流子密度、電場以及P型和N型的準費米級能量
2024-01-25 18:01:01
鋼筋混凝土結構,詳見圖1。
三、負荷分級
綜合管廊做為城市重要的基礎設施之一,中斷供電將存在重大的安全隱患,因此確定為二級負荷供電。采用兩路電源供電,以保證供電的可靠性,每回路均能負擔100
2024-01-19 17:32:17
電子發(fā)燒友網站提供《關于修復烘缸軸磨損的探討.docx》資料免費下載
2024-01-05 09:18:00
0 按照參考電路設計,想把24V電壓升壓到240V,測了輸出只有24V。我把二級升壓電路去掉,上電瞬間LT8331升壓器SW1和SW2引腳與GND短路,是怎么回事?電路元器件參數按照參考電路設計來設計的
2024-01-04 07:52:52
ad8346汽車級最高工作環(huán)境溫度是125度,最高結溫是多少攝氏度?
2023-12-05 07:44:20
我使用AD549進行nA級電流轉化,使用兩級放大,需要對AD549進行調零處理,使用的是AD549數據手冊上提供的外部調零方法,但是在實際調試時,第一級的調零輸出大概能達到幾微安級,但是第二級的輸出跳到微安級很難,基本只能調到幾百微安,在幾百微安出變化,請問原因及可行的設計方案
2023-11-27 08:28:46
請問大神,對于三運放儀用放大器芯片AD8421,把它用于第二級放大的時候,前一級的兩個放大器輸出的共模電壓達到AD8421的工作電源的時候,AD8421是不是很容易就飽和了?
2023-11-27 08:00:06
將兩個AD8367級聯使用時,第一級的輸出與第二級的輸入之間是否還需要加匹配網絡呢?根據手冊上的描述,輸出RL時200歐姆,而AD8367的輸入也是200歐,那么是否可以不用匹配而直接將第一級的輸出
2023-11-27 07:50:05
TOLL Schottky SKY 肖特基二極管,大電流應用時的應用注意事項!
48V PD3.1選用肖特基做240W,480W PD電源,48V 10A的注意事項Motive TMBS TOLL封裝肖特基紹 V1.2_頁面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
ADI的工程師,您好,我想問一下我使用的ADA4895-2芯片在放大時第二級會有一個1V左右的直流偏置,請問一下是怎么回事。是反饋電阻選的不對還是放大倍數一定要10倍以上
2023-11-21 08:31:03
手上有AD8602這個運放,想用作比較器,不知道是否存在隱患,另外它的內部輸入級帶有鉗位二極管嗎?
2023-11-21 08:27:53
請問OP37S和AD574S這兩個宇航級型號的結溫(Junction Temperature)最大范圍是多少?
2023-11-21 08:17:33
LLC電源 輸出次級側使用肖特基二極管產品整流
LLC次級側使用肖特基二極管產品,灌膠電源有優(yōu)秀的散熱效果
2023-11-20 21:36:35
使用ADA4817制作二級寬帶放大器。輸入信號為正弦波,幅度有效值為10mV-1V,頻率為1Hz-100MHz。第一級放大倍數為3.6倍,第二級放大倍數為3.6倍,級間做一倍衰減,因此總共放大倍數為
2023-11-17 14:09:15
二極管濱松的S2386-5K,運放AD8615(后來又試了AD8641),負電源接了-0.3V。
使用光電二極管跨阻放大,光電二極管沒有偏置,使用光伏模式,但后級輸出是正弦波信號,參考了ADI官方的一些電路,不知道怎么把正弦信號轉成有效穩(wěn)定的直流信號
2023-11-14 07:48:26
[size=150%]如上圖所示,我使用該電路處理光電二極管信號,第一級為TIA,第二級為單位增益二階低通濾波器,當正常工作時,Vout1和Vout2會有一個幾十毫伏的電壓差,并且隨輸入的信號而
2023-11-14 07:12:09
電子發(fā)燒友網站提供《關于對天線近場測量的技術探討.pdf》資料免費下載
2023-11-10 15:23:59
0 電子發(fā)燒友網站提供《一種物聯網智能終端的架構探討.pdf》資料免費下載
2023-11-07 14:47:58
0 電子發(fā)燒友網站提供《關于無功補償問題的探討及其解決方案.doc》資料免費下載
2023-11-01 11:15:09
0 BAT54CQ 產品簡介DIODES 的BAT54CQ這款采用 SOT23 封裝的 200mA 表面貼裝肖特基勢壘二極管,提供低導通電壓和快速開關能力,設計有用于瞬態(tài)和 ESD 保護
2023-10-19 12:43:45
BAT54AQ 產品簡介DIODES 的BAT54AQ這款采用 SOT23 封裝的 200mA 表面貼裝肖特基勢壘二極管,提供低導通電壓和快速開關能力,設計有用于瞬態(tài)和 ESD 保護
2023-10-19 12:39:54
BAS40WQ 產品簡介DIODES 的BAS40WQ這是一款采用 SOT323 封裝的 200mA 表面貼裝肖特基勢壘二極管。它提供低正向壓降和快速開關功能,設計有用于瞬態(tài)
2023-10-19 11:52:02
BAS40-06Q-13-F 產品簡介DIODES 的BAS40-06Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢壘二極管(標準)封裝提供低正向電壓降和快速切換能力,采用PN結保護環(huán)
2023-10-19 11:44:26
BAS40-05Q-13-F 產品簡介DIODES 的BAS40-05Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢壘二極管(標準)封裝提供低正向電壓降和快速切換能力,采用PN結保護環(huán)
2023-10-19 11:40:43
BAS40-04Q-13-F產品簡介DIODES 的BAS40-04Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢壘二極管(標準)封裝提供低正向電壓降和快速切換能力,采用PN結保護環(huán)設計,用于瞬態(tài)
2023-10-19 11:34:56
SS10100肖特基二極管原廠直銷,歡迎咨詢洽談訂購!產品類型:肖特基勢壘二極管封裝形式:SMC(DO-214AB)反向電壓(最大值):100V正向電流(最大值):10A壓降(VF):0.95V工作溫度:-55°C~+150°C@(Tj)
2023-10-11 10:55:48
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2023-10-11 10:48:16
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2023-10-11 10:45:48
目前傳統(tǒng)硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限, 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲,效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT(gallium
2023-09-18 07:27:50
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2023-09-14 16:49:23
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2023-09-14 16:41:59
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2023-09-14 11:14:26
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2023-09-14 10:53:36
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2023-09-14 10:48:51
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2023-09-11 11:54:03
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2023-09-11 11:42:46
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2023-09-11 11:29:21
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2023-09-11 11:25:53
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2023-09-11 11:22:03
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2023-09-09 15:58:17
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2023-09-09 15:55:29
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2023-09-09 15:51:33
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2023-09-09 15:05:50
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2023-09-09 14:36:56
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2023-09-09 14:34:23
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2023-09-09 14:23:54
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2023-09-09 14:12:37
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2023-09-09 14:01:21
SS14肖特基二極管原廠直銷,歡迎咨詢洽談訂購!產品類型:肖特基勢壘二極管封裝形式:SMA(DO-214AC)反向電壓(最大值):40V正向電流(最大值):1A壓降(VF):0.55V工作溫度:-55°C~+150°C
2023-09-09 13:58:14
二極管的電流方向是從正極流向負極。
就是從二極管PN結的P區(qū)流向N區(qū),在電路圖中,二極管“三角形”所指示的方向就是它的正向電流方向。發(fā)光二極管的電流方向與電路的電流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23
,以及優(yōu)化的GaN VGS驅動電壓實現較高穩(wěn)健性和效率。這種集成了自舉二極管的單芯片允許設計師實現GaN的性能優(yōu)勢,同時簡化設計和減少物料要求。
2023-09-05 06:58:54
的硅 MOSFET,要么需要特殊的附加層,這使得它們難以縮小。 無法生產與當前硅晶體管相同規(guī)模的 GaN 晶體管,也意味著它們不適用于 CPU 和其他微控制器。
GaN 晶體管的第二個問題是,制造
2023-08-21 17:06:18
的上升時間、下降時間、死區(qū)時間和導通延遲時間更短,柵極過充震蕩更小,此外也沒有體二極管的反向恢復效應。綜上,GaN器件的開關波形將更接近理論開關波形,更有助于Class D系統(tǒng)的性能提升。
圖6
2023-06-25 15:59:21
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
PDS5100H 產品簡介DIODES 的 PDS5100H 這種肖特基勢壘整流器的設計滿足汽車應用的嚴格要求。它非常適合用作:極性保護二極管再循環(huán)二極管開關二極管 產品規(guī)格
2023-06-21 10:00:27
PD3S140Q 產品簡介DIODES 的 PD3S140Q 這種肖特基勢壘整流器的設計滿足汽車應用的嚴格要求。它非常適合用作:極性保護二極管再循環(huán)二極管開關二極管 
2023-06-20 16:29:06
貼片二極管S27是哪一種二級管有哪位大神知道請回復
2023-06-20 09:39:02
SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
近日,由深圳大學和深圳信息職業(yè)技術學院組成的科研團隊,研發(fā)出了“基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管“,并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10:35
529 
、高速數字電路、射頻電路等領域。相比于普通的 pn 結二極管,肖特基二極管的 pn 結由金屬與半導體材料直接接觸形成,而不是由摻雜半導體 。其工作原理為,當肖特基二極管正向偏置時,電子從金屬側進入半導體中
2023-05-23 14:47:57
是否有關于 NXP GaN 放大器長期記憶的任何詳細信息。數據表說“專為低復雜性線性系統(tǒng)設計”。長期記憶是否不再是當前幾代 GaN 器件的關注點?這是整個產品堆棧嗎?
2023-04-17 06:12:19
放大狀態(tài)下的三極管是兩個PN結都大于0.7V嗎?求解
2023-04-12 11:30:57
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
我們以6.6kW車載充電機為例,介紹SiC肖特基二級管在充電機AC-DC和DC-DC電路中的應用。
2023-04-06 10:54:11
804 
(hyperfix),或由這幾種器件組合而成的防雷模塊(SPD)等。當然,低速信號端口也可選擇箝位型器件進行第一級防護,但前提是箝位型器件的結電容不能影響通信線路的正常通信。 第二級保護 第二級防護與第一級
2023-03-30 14:42:53
電路如圖所示,1點和8點引出去做了一個24V的鉗位,電路輸出接在第一級輸出和第二級輸入之間這部分具體作用是什么,什么原理?
2023-03-28 14:21:36
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