納微半導(dǎo)體，作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者，以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者，近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展。屆時(shí)，納微半導(dǎo)體將設(shè)立一個(gè)獨(dú)特而富有未來感的“納微芯球”展臺(tái)，充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)，引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來世界。
2024-03-16 09:40:58
287 臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMTQorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-26 22:58:56
加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機(jī)皇”—— Galaxy S24智能手機(jī)打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:04306 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請(qǐng)問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種
2024-01-10 09:27:32397 近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項(xiàng)權(quán)威大獎(jiǎng)：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)GaN功率器件十強(qiáng)”。這一榮譽(yù)充分展示了安世半導(dǎo)體作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強(qiáng)大實(shí)力，以及其在三代半領(lǐng)域的深厚積累。
2024-01-03 15:46:13403 氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:24424 氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:11462 根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
據(jù)晶湛半導(dǎo)體消息，晶湛半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術(shù)開拓者程凱博士將于2012年3月回國(guó)創(chuàng)業(yè)。國(guó)際先進(jìn)的氮化鎵外延材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地
2023-12-11 14:32:04227 近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數(shù)億元融資以來的又一融資進(jìn)展。
2023-12-09 10:49:07599 近日，武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布首款基于Cortex?-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車規(guī)級(jí)MCU，這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的主流通用型車規(guī)MCU產(chǎn)品
2023-11-30 15:47:01
，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn)，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:302310 氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:10217 
氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
英集芯IP6829支持 PD 輸入全集成 5W/7.5W/10W/15W 無線充電發(fā)射 SOC英集芯IP6829是一款具備先進(jìn)功能的無線充電發(fā)射端控制SoC芯片。它不僅兼容WPC Qi v1.3
2023-11-01 20:38:36
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點(diǎn)，其對(duì)于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
86面板墻插是我國(guó)普通家庭用電最常見的一種電力接口，當(dāng)?shù)谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體氮化鎵功率器件遇上86面板墻插，會(huì)帶來怎樣的新驚喜呢？
2023-09-25 10:34:20667 
氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:45859 材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國(guó)外一般稱為寬禁帶半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導(dǎo)體，或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:271932 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且機(jī)械性能非常穩(wěn)定的寬禁帶半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，GaN基功率器件明顯優(yōu)于硅基器件。
GaN晶體可以在各種
2023-09-08 15:11:18535 
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿足數(shù)字電源設(shè)計(jì)的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU（專為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用全數(shù)字控制方法）和數(shù)字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲(chǔ)器）。意法半導(dǎo)體
2023-09-07 06:49:47
機(jī)、氟弧焊機(jī)、脈沖焊機(jī)等，本文將介紹武漢芯源半導(dǎo)體CW32F030系列單片機(jī)在電弧焊機(jī)中的應(yīng)用。
CW32F030系列MCU在電焊機(jī)的應(yīng)用框圖
方案特色：
●可實(shí)現(xiàn)對(duì)電焊機(jī)的自動(dòng)化控制，可以通過輸入
2023-09-06 09:14:04
的功率型分立器件針對(duì)軟開關(guān)諧振和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計(jì)。意法半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案可以使用專用的評(píng)估板、參考設(shè)計(jì)、技術(shù)文檔和eDesignSuite軟件配置器和設(shè)計(jì)工具來實(shí)現(xiàn)
2023-09-06 07:44:16
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料
?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
氮化鎵半導(dǎo)體激光器具有體積小、壽命長(zhǎng)、效率高等優(yōu)點(diǎn)，波長(zhǎng)范圍覆蓋可見光和紫外波段，應(yīng)用場(chǎng)景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領(lǐng)域，近年來總體市場(chǎng)需求呈現(xiàn)較高的復(fù)合增長(zhǎng)趨勢(shì)。由于氮化鎵激光技術(shù)壁壘較高，長(zhǎng)期被國(guó)外少數(shù)企業(yè)壟斷，我國(guó)企業(yè)需求全部依賴進(jìn)口。
2023-08-31 10:41:13563 英集芯IP2326，15W同步開關(guān)升壓充電管理芯片英集芯IP2326是一款高性能的鋰電池充電管理芯片，適用于15W同步開關(guān)升壓充電方案。該芯片支持2 節(jié)或3節(jié)串聯(lián)鋰電池/鋰離子電池，集成功率MOS
2023-08-30 21:24:57
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
PMIC換成英集芯IP6103，buildroot環(huán)境下需要做哪寫修改？
2023-08-18 07:49:24
XP3358是一款數(shù)字高性能單級(jí)高PF(PF>0.9)恒壓(V)控制芯片適用于反(Fyback)或升降壓(buck-boost)電源拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">芯格諾專利的數(shù)字控制算法使得XP3358具備
2023-08-11 16:32:14
昂科燒錄器支持Analog
Devices亞德諾半導(dǎo)體的超低功耗、獨(dú)立式電量計(jì)IC MAX17201X
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中昂科發(fā)布
2023-08-10 11:54:39
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
早前，納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏，成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí)，納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品線，拓展新興應(yīng)用市場(chǎng)。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:191553 
三星啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體代工 三星電子近期業(yè)績(jī)壓力很大，市場(chǎng)疲軟、存儲(chǔ)芯片價(jià)格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤(rùn)暴跌，根據(jù)三星電子公布的2023年第二季度的初步數(shù)據(jù)顯示，期內(nèi)銷售額為60萬億
2023-07-11 14:42:13513 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC，原裝現(xiàn)貨 型號(hào)：NCP1342品牌：安森美封裝:SOIC-8 ,SOIC-9
2023-07-11 11:31:20
氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:433823 。這款電源內(nèi)置英諾賽科INN700TK350B氮化鎵開關(guān)管，采用TO252封裝，額定耐壓為700V，瞬態(tài)耐壓為800V，具有更多余量。電源支持90-264V輸入電壓
2023-07-05 22:38:44
材料如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）逐漸嶄露頭角。這些新型半導(dǎo)體材料在射頻和功率應(yīng)用中的性能優(yōu)勢(shì)，正在促使它們的市場(chǎng)份額穩(wěn)步增長(zhǎng)。
2023-07-05 10:26:131322 
徐州金沙江半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱金沙江半導(dǎo)體）據(jù)官方消息，公司在2021年被設(shè)立，項(xiàng)目發(fā)起人氮化鎵（的）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，氮化鎵功率器件及其新應(yīng)用為主力產(chǎn)品，正在構(gòu)建新型的idm平臺(tái)。
2023-06-30 10:31:021283 
三星詳細(xì)介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計(jì)劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體代工服務(wù)，以滿足人工智能技術(shù)的需求。這種半導(dǎo)體具有高性能低功耗的特點(diǎn)，在消費(fèi)類電子、數(shù)據(jù)中心和汽車等領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。
2023-06-29 14:48:15753 2SK1305 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 19:49:50
0 氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
采用氮化鎵器件的高頻PWM逆變器，其優(yōu)勢(shì)是實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率而無需使用電解電容器和輸入電感器。
參考資料：
1Lidow, A., De Rooij, M., Strydom, J., Reusch
2023-06-25 13:58:54
電源管理芯片，支持PD3.1快充協(xié)議，最大充放電功率達(dá)140W，支持輸入輸出雙向快充。
作為一家專注于高性能、高品質(zhì)數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)公司，英集芯主營(yíng)業(yè)務(wù)為電源管理芯片、快充協(xié)議芯片的研發(fā)和銷售。英集芯
2023-06-25 11:51:27
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
IP6862是一款英集芯全新推出的一芯雙充無線充電方案，采用QFN32封裝5*5MM可支持15W+15W/15W+5W版本，支持全新1芯雙充無線充方案開發(fā)。
科發(fā)鑫電子是英集芯一級(jí)代理商，提供全系列
2023-06-16 20:09:32
2C1A二合一氮化鎵超極充、綠聯(lián)140W 2C1A氮化鎵充電器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、華為、三星等大品牌的產(chǎn)品使用，性能質(zhì)量獲得客戶的高度認(rèn)可。
輸出VBUS開關(guān)管均來自威兆半導(dǎo)體
2023-06-16 14:05:50
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的電壓，其漏極漂移區(qū)為10-20μm，或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而，氮化鎵器件目前仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于約300V/μm的禁帶寬度極限，這為未來的優(yōu)化和改進(jìn)，留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語(yǔ) Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向恢復(fù)電荷。
2023-06-08 16:04:59397 
公牛33W車載充電器采用了拓爾微 IM2403+TMI3451雙口快充方案，以滿足這款車充33W快充輸出。
2023-06-08 11:30:14927 
根據(jù)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來長(zhǎng)期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信射頻等市場(chǎng)的發(fā)展，具有較大的發(fā)展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)逐步向高端應(yīng)用市場(chǎng)推進(jìn)。隨著我國(guó)分立器件企業(yè)產(chǎn)品
2023-05-26 14:24:29
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 （SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。什么是寬禁帶？物質(zhì)的導(dǎo)電需要
2023-05-06 10:31:461675 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
郝躍院士長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:32718 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時(shí)還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
2023-04-25 15:01:47307 中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)在上世紀(jì)50年代初創(chuàng)，70年代逐漸成長(zhǎng)，80年代的改革開放到90年代以后進(jìn)入全面發(fā)展階段，21世紀(jì)初中國(guó)加入WTO，為我國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展契機(jī)。受益于國(guó)際電子
2023-04-14 13:46:39
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個(gè)半導(dǎo)體器件集成在一個(gè)芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 IP6862是一款英集芯全新推出的一芯雙充無線充電方案，采用QFN32封裝5*5MM可支持15W+15W/15W+5W版本，支持全新1芯雙充無線充方案開發(fā)。科發(fā)鑫電子是英集芯一級(jí)代理商，提供全系列英
2023-04-07 18:45:16
全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:53644 
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成， 實(shí)現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國(guó)加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723 
，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
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