IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn),但IGBT克服了這一缺點(diǎn),在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
2024-03-13 11:46:21
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率電子器件,廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT選型是指根據(jù)特定應(yīng)用需求選擇合適的IGBT
2024-03-12 15:31:12
253 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件,用于在高電壓、高電流的情況下控制電能的傳輸和轉(zhuǎn)換。IGBT對驅(qū)動(dòng)電路的要求
2024-03-12 15:27:38
203 以上兩種情況,不知哪種情況是對的?請教論壇里的專家,究竟這個(gè)先短路再開通是指什么?是針對同一個(gè)IGBT的CE先短路,然后啟動(dòng),觀察記錄此IGBT的驅(qū)動(dòng)、CE電壓和電流,還是針對同一相上下橋臂兩個(gè)IGBT,先把其中一個(gè)CE短路,觀察記錄另外一個(gè)IGBT的驅(qū)動(dòng)、CE電壓和電流?
2024-02-29 23:08:07
絕緣門極雙極型晶體管(IGBT)是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡單、飽和壓降低、耐壓高電流大等優(yōu)點(diǎn),因此現(xiàn)今應(yīng)用相當(dāng)
2024-02-27 08:25:58
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在IGBT短路時(shí),假設(shè)在導(dǎo)通時(shí)短路,此時(shí)IGBT驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到穩(wěn)定高值,就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通,此時(shí)刻觸發(fā)外部電路短路,用示波器查看驅(qū)動(dòng)電壓、CE電壓和輸出電流,變頻器在極短的時(shí)間內(nèi)響應(yīng)后,驅(qū)動(dòng)電壓
2024-02-25 11:31:12
在高壓600V,額定電流10A的壓縮機(jī)電機(jī)控制中,IGBT經(jīng)常燒壞,主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
的CE電壓在到達(dá)最高點(diǎn)時(shí)刻之前,會(huì)有一個(gè)小尖峰,就是會(huì)先有一個(gè)極點(diǎn)然后再到達(dá)最大值,請問這是什么原因?是IGBT的驅(qū)動(dòng)引起的還是其他什么原因,請具體解釋?
2024-02-21 20:12:42
IGBT過流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫,是一種半導(dǎo)體功率開關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,常常用于高壓、高電流的開關(guān)電源和逆變器中。然而,由于各種原因,IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32
274 用方波驅(qū)動(dòng)IGBT合適嗎? 方波是一個(gè)矩形波形,它具有快速上升和下降的邊沿。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種常用的功率開關(guān)設(shè)備,常用于高電壓和高電流應(yīng)用中。IGBT的主要作用是將直流電壓轉(zhuǎn)換
2024-02-06 16:28:47
540 SynSense時(shí)識科技(以下簡稱“時(shí)識科技”),作為類腦感知及計(jì)算領(lǐng)域的頭部公司,近日正式宣布戰(zhàn)略收購瑞士類腦視覺傳感器公司iniVation AG。這一收購將進(jìn)一步強(qiáng)化時(shí)識科技在全球市場的影響力,并為其帶來更廣闊的發(fā)展空間。
2024-02-01 16:54:09
399 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性器件,結(jié)合了MOSFET和普通晶體管的優(yōu)勢,既具有IGFET(Insulated Gate
2024-02-01 13:59:45
447 IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理: IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種特殊的雙極晶體管,結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有
2024-01-23 13:44:51
669 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的特點(diǎn)。IGBT被廣泛應(yīng)用于電力
2024-01-22 11:14:57
269 。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個(gè)IGBT芯片和驅(qū)動(dòng)電路封裝在一個(gè)模塊內(nèi),使得IGBT能夠方便地進(jìn)行安裝和維護(hù)。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:23
1080 宣布收購,是為哪般? 花費(fèi)近6億元,炬光科技收購瑞士SMO 1月16日,西安炬光科技股份有限公司(以下簡稱“炬光科技”)宣布,通過全資子公司香港炬光,現(xiàn)金支付7554.05萬歐元(折合人民幣約5.9億元)完成收購瑞士SUSS MicroOptics SA(簡稱“SMO”)100%股權(quán)。這標(biāo)志著炬光科技向
2024-01-18 09:36:47
174 瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布,雙方已達(dá)成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購Transphorm,這一價(jià)格較Transphorm在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%,總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:33
234 ABB宣布已成功收購瑞士初創(chuàng)公司Sevensense,這是一家專注于為自主移動(dòng)機(jī)器人(AMR)提供先進(jìn)的人工智能3D視覺導(dǎo)航技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)。Sevensense成立于2018年,作為瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院的衍生公司,它憑借其技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新精神在行業(yè)中脫穎而出。
2024-01-17 14:05:14
384 由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性,IGBT需要一個(gè)專門的驅(qū)動(dòng)電路來控制其開通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動(dòng)電路。 一、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是向IGBT提供適當(dāng)?shù)臇艠O
2024-01-17 13:56:55
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不同的設(shè)計(jì)和功能,會(huì)影響 IGBT 的工作特性和性能。 第一部分:驅(qū)動(dòng)板的作用和需求 IGBT 是一種高壓高功率開關(guān)器件,在許多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,如變頻器、電機(jī)控制、電力電子等。IGBT 需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)板來提供適當(dāng)?shù)男盘柡碗娏鱽砜刂破溟_關(guān)行為。驅(qū)動(dòng)板的主要功
2024-01-15 11:26:04
355 IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:52
1668 驅(qū)動(dòng)器、逆變器和電動(dòng)汽車等。 識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管可以通過以下步驟進(jìn)行: 1. 外形識別 IGBT晶體管通常有有特定的外觀特征,其封裝一般較大且多為模塊封裝。最常見的封裝類型有TO-220、TO-247、TO-3P等。在封裝上通常會(huì)標(biāo)有器件型號、廠商標(biāo)志或批次號等
2024-01-12 11:18:10
350 IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明 IGBT是一種高壓開關(guān)器件,它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢。在本文中,我們將詳細(xì)地探討IGBT的優(yōu)點(diǎn),以便更好地理解其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。 首先
2024-01-04 16:35:47
787 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高性能半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。然而,由于IGBT的驅(qū)動(dòng)電路對其性能和壽命有很大影響,因此選擇合適的驅(qū)動(dòng)
2023-12-30 10:11:00
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IGBT:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率
2023-12-18 09:40:22
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隨著新能源的爆火,IGBT缺貨成了近年來的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù),目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國際大廠的訂單整體處于相對飽滿的狀態(tài),價(jià)格整體而言也比較穩(wěn)定,產(chǎn)品交期普遍在39周以上,尤其是風(fēng)光儲IGBT等部分緊缺料交期還在52周以上。
2023-12-14 12:25:36
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IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08
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IGBT在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中所發(fā)揮的作用非常重要,IGBT的性能影響著電機(jī)驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)定性。
2023-12-05 16:10:25
677 IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的鉗位電路
2023-11-30 18:05:10
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IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),關(guān)鍵元件該怎么選?
2023-11-30 18:02:38
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深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 14:48:25
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上海昊量光電設(shè)備有限公司與瑞士Pi lmaging Technology公司成功簽署了du家代理協(xié)議。后續(xù)昊量光電將作為瑞士Pi lmaging Technology在中國地區(qū)的du家代理商全權(quán)進(jìn)行中國地區(qū)的商業(yè)活動(dòng)及售后服務(wù)。
2023-11-24 10:46:50
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熱烈祝賀昊量光電喜獲瑞士PilmagingTechnology公司中國獨(dú)家代理近日,上海昊量光電設(shè)備有限公司與瑞士PilmagingTechnology公司成功簽署了獨(dú)家代理協(xié)議。后續(xù)昊量光電將作
2023-11-23 08:15:44
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當(dāng)前電動(dòng)汽車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視,那就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,則是電機(jī)
2023-11-20 16:44:43
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:21:59
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求設(shè)計(jì)過流保護(hù).doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:15:19
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2023-11-14 10:22:46
2 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:28
1260 對比不同IGBT的參數(shù)及性能;
獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù);
評估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適;
開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩;
2023-11-10 09:12:32
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大家好,今天聊一下IGBT驅(qū)動(dòng)中的**參考電位**問題。我們都知道IGBT的驅(qū)動(dòng)參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ,當(dāng)柵極相對于發(fā)射極電位 **超過閾值電壓時(shí),器件就會(huì)開通** , **小于閾值電壓后,器件就會(huì)關(guān)斷** 。
2023-11-09 15:19:15
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什么是igbt短路測試?igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)進(jìn)行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:29
1042 用光耦搭建的隔離型IGBT驅(qū)動(dòng)電路
2023-11-02 15:20:05
4 Banana Pi BPI-W3 RK3588平臺驅(qū)動(dòng)調(diào)試篇 [ PCIE篇 ] - PCIE的開發(fā)指南(二)
2023-11-02 09:24:05
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驅(qū)動(dòng)電路對動(dòng)態(tài)均流的影響:驅(qū)動(dòng)電路對并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的,如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動(dòng)電路不同步,則先驅(qū)動(dòng)的IGBT要承擔(dān)大得多的動(dòng)態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:55
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igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管,由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14
622 導(dǎo)通條件 IGBT的導(dǎo)通需要滿足以下三個(gè)條件: 1. 高驅(qū)動(dòng)電壓:IGBT的導(dǎo)通需要在門極和漏極之間建立一定的電
2023-10-19 17:08:02
8151 達(dá)到 62 億美元,中國 IGBT 模塊市場規(guī)模將達(dá)到 24 億美元。
歐洲的IGBT模塊生產(chǎn)廠商主要有德國的英飛凌(Infineon)、西門康/賽米控丹佛斯(Semikron Danfoss),瑞士
2023-10-16 11:00:14
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:50
0 絕緣柵雙極晶體管(以下簡稱IGBT)是一種復(fù)合半導(dǎo)體器件,融合了MOSFET的快速開關(guān)能力、高頻操作、高輸入阻抗、簡單的驅(qū)動(dòng)電路和有利的熱特性等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)還具備了GTR的大電流承載能力和高阻擋電壓
2023-09-21 14:08:16
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Crystal 瑞士微晶在其四十年制表傳統(tǒng)的基礎(chǔ)之上,為高品質(zhì)、緊湊、節(jié)能和精確驅(qū)動(dòng)的大規(guī)模生產(chǎn)解決方案設(shè)定了標(biāo)準(zhǔn)。 Micro Crystal 瑞士微晶的產(chǎn)品組合包括可靠、智能和安全的器件,如低頻 32.768kHz 表面貼裝器件、RTC 模塊、振蕩器、壓控振蕩器(VCXO),它們都采用緊湊的陶瓷封裝。
2023-09-08 14:47:38
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路中GE間經(jīng)常接個(gè)十幾K的電阻是什么作用? IGBT驅(qū)動(dòng)電路是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中廣泛使用的一種電路,它主要應(yīng)用于高壓、高電流、高頻的場合。該電路具有高效、高穩(wěn)定性、低噪音等特點(diǎn),因此
2023-09-05 17:29:45
1909 Banana Pi是一款基于ARM架構(gòu)的單板電腦(Single Board Computer),由中國廠商Lemaker推出。類似于樹莓派(Raspberry Pi),Banana Pi旨在提供一個(gè)低成本、靈活且適用于各種項(xiàng)目和應(yīng)用的開發(fā)平臺。
2023-09-04 16:39:07
1 IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動(dòng)電路,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:54
3320 、開關(guān)速度快、無噪聲、易控制的電力元件。它具有閉合低電壓降(VCEsat),高開關(guān)速度和低開關(guān)損耗的特點(diǎn),非常適合于高頻率應(yīng)用。此外,IGBT還具有電壓控制和電流承載能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn),因此,IGBT被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、換流器、逆變器等高壓高頻率領(lǐng)域。 相比之下,IGCT是一種
2023-08-25 14:57:34
2922 CONCEPT 建議不要對柵極驅(qū)動(dòng)器的變壓器施加機(jī)械力。例如,當(dāng) CONCEPT 驅(qū)動(dòng)器的變壓器用作機(jī)械手柄時(shí),特別是在組裝期間將驅(qū)動(dòng)器從包裝或目標(biāo)/載體 PCB 中取出或插入(根據(jù)驅(qū)動(dòng)器的需要)時(shí),可能會(huì)發(fā)生這種情況。
2023-08-17 14:14:14
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摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力,進(jìn)一步改善短路與通態(tài)壓降的矛盾關(guān)系,研究了
IGBT 背面工藝對抗短路能力的影響。通過 TCAD 仿真,在 IGBT 處于負(fù)載短路工作期間,針對
2023-08-08 10:14:47
0 在 IGBT驅(qū)動(dòng)電源板 中有著廣泛的應(yīng)用。 ? ? ? ?IGBT驅(qū)動(dòng)板是控制系統(tǒng)和開關(guān)器件中的中間環(huán)節(jié),承擔(dān)著接受控制系統(tǒng)信號并傳輸信號,確保IGBT執(zhí)行開關(guān)、保護(hù)、和反饋器件工作狀態(tài)的重任。 ? ? ? ?通常,IGBT驅(qū)動(dòng)板由IGBT驅(qū)動(dòng)芯片、驅(qū)動(dòng)外圍電路、驅(qū)動(dòng)輔
2023-08-04 17:35:03
609 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:54
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI3EQX6852B SATA轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-26 14:51:40
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI3EQX6801 SATA轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-26 09:24:19
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI3EQX7741ST/PI3EQX7742ST源應(yīng)用程序中的超高速轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-25 18:28:36
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2023-07-25 18:21:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI3EQX4951 SATA轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-25 16:12:20
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2EQX6804和PI2EQX6864 4通道SAS/SATA轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-25 16:02:42
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電子燈鎮(zhèn)流器IGBT門驅(qū)動(dòng)因素.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 10:29:22
0 Banana Pi M5 被宣傳為與 Raspberry Pi 4 相當(dāng)?shù)漠a(chǎn)品,具有相似的格式和架構(gòu)。它配備了稍微好一點(diǎn)的 CPU、4 GB RAM、16 GB eMMC 驅(qū)動(dòng)器和 4 個(gè) USB 3.0 端口。M5 可以運(yùn)行 Raspbian、Android 和 Ubuntu 以及許多其他發(fā)行版。
2023-07-19 19:24:16
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《為Raspberry Pi創(chuàng)建七段顯示驅(qū)動(dòng)程序.zip》資料免費(fèi)下載
2023-07-10 10:58:46
0 國內(nèi)的IGBT廠商主要集中在中低壓市場,如比亞迪半導(dǎo)體、士蘭微、揚(yáng)杰科技、新潔能、華微電子等,他們的產(chǎn)品主要應(yīng)用于1500V以下的IGBT市場。時(shí)代電氣和斯達(dá)半導(dǎo)已經(jīng)開始應(yīng)用高壓3300V及以上的產(chǎn)品。
2023-07-06 17:08:54
2942 TF2136M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2136M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:46:50
在選擇高壓連接器的廠商時(shí),可以綜合考慮以上因素,并進(jìn)行詳細(xì)的市場調(diào)查和比較,以確保您選擇的廠商能夠滿足您的需求,并提供高質(zhì)量的產(chǎn)品和服務(wù)。
2023-07-03 11:33:36
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TF2011M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2011的高側(cè)能夠
2023-06-29 10:58:25
TF21064M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21064M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-29 10:14:02
TF21814是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2181M的高側(cè)在
2023-06-29 09:10:24
TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2003M高側(cè)切換到250V的引導(dǎo)操作
2023-06-27 16:35:30
為滿足汽車市場對產(chǎn)品可靠性和安全性的需求,數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級高壓、高速M(fèi)OSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片SiLM21814-AQ,該產(chǎn)品通過AEC-Q100認(rèn)證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17
510 TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 09:27:41
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《由Raspberry Pi驅(qū)動(dòng)的機(jī)器貓玩具.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-26 09:15:58
0 TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn),并且有三個(gè)端子:一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言,該器件
2023-06-21 19:15:01
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高壓放大器可以驅(qū)動(dòng)電機(jī)。事實(shí)上,高壓放大器在許多應(yīng)用中都是電機(jī)控制的核心部件之一。高壓放大器可以將輸入信號轉(zhuǎn)換為高電壓和高電流,從而驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)。
2023-06-20 16:28:51
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最先進(jìn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用基于 3 相絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的逆變器,該逆變器由直流母線電壓供電,通常在 400 V 直流至 800 V 直流范圍內(nèi)。該高壓軌可以直接來自三相整流橋式濾波器組合或功率因數(shù)校正升壓整流器,后者從三相交流輸入產(chǎn)生高壓軌(見圖3)。
2023-06-13 17:20:03
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施耐博格導(dǎo)軌SCHNEEBERGER 瑞士施耐博格直線導(dǎo)軌、滑塊瑞士SCHNEEBERGER成立于1923年。100年前,SCHNEEBERGER設(shè)計(jì)并生產(chǎn)了世界上根直線導(dǎo)軌,為今天全世界的直線技術(shù)
2023-06-09 11:10:03
最近發(fā)現(xiàn)很多小伙伴都是玩新能源高壓電驅(qū)的,想讓我講一講用CST如何建立IGBT模型。
2023-06-08 11:30:08
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的SCALE-iFlex LT NTC門極驅(qū)動(dòng)器,另一款是適用與190mmX140mm IGBT的數(shù)字型驅(qū)動(dòng)器1SP0635V2A0D。 PI系統(tǒng)工程師經(jīng)理王皓指出,從全球能源供應(yīng)形式看,轉(zhuǎn)向新能源是大勢所趨
2023-06-02 16:12:06
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給大家分享一份IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用實(shí)例,有需要的工程師朋友可以下載學(xué)習(xí)
2023-05-24 11:02:46
然而,Sony收購Raspberry Pi的動(dòng)機(jī)并不僅限于業(yè)余愛好者市場,Sony Semiconductor Solutions的技術(shù)與創(chuàng)新副總裁Mark Hanson在接受采訪時(shí)表示。Sony
2023-04-28 15:07:17
653 眾所周知,在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求,逆變器通常分為低壓(110V、220V、380V等)、中壓(690V、1140V、2300V等)或高壓(3KV、3.3KV、6KV、6.6KV、10KV等)。
2023-04-15 10:09:33
823 瑞士固特,瑞士GUTOR,固特GUTOR,固特UPS電源,GUTORups電源,瑞士固特電子有限公司GUTOR ELECTRIC LIMITEDGUTOR Electric Ltd 瑞士固特電
2023-04-14 14:56:15
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 17:38:29
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根據(jù)應(yīng)用場景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型,其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和智能電網(wǎng)等對電壓要求較高,主要使用高壓IGBT。
2023-04-04 11:14:37
1956 高速、高壓、高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-03-28 18:24:31
與驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行連接,組合成為一個(gè)完整的整體。 在運(yùn)行過程中有開損耗、關(guān)損耗等,會(huì)造成IGBT會(huì)發(fā)熱,溫度升高,影響性能,因此,需要散熱系統(tǒng)為IGBT模塊提供散熱,IGBT模塊配備用于冷卻液的針狀散熱翅片
2023-03-23 16:01:54
電路包括:主芯片電路、電源芯片電路、通訊電路、解碼器電路、存儲芯片電路、溫度采集電路、信號放大電路、PWM輸出電路等。 驅(qū)動(dòng)板:主要用于控制、驅(qū)動(dòng)及保護(hù)IGBT正常工作。驅(qū)動(dòng)板電路包括:IGBT高壓
2023-03-23 15:45:33
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