4、深度技術(shù)拆解：深入變頻器電子電動機(jī)內(nèi)部世界

　　電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：你可以把電子電動機(jī)的世界劃分為兩個不同的類別——直流和交流，它們控制著速度、轉(zhuǎn)矩、方向和產(chǎn)生一定馬力。一個AC變頻電機(jī)控制AC感應(yīng)電動機(jī)，和相應(yīng)的DC變頻電機(jī)一樣，控制速度，轉(zhuǎn)矩和馬力。通常情況下一個DC變頻電機(jī)就控制一個并聯(lián)的場電路和動鐵芯分開的直流電動機(jī)。這會掀翻施耐德電氣的Altivar12變頻器對這類變頻器的關(guān)鍵性能的詳細(xì)定義。

　　風(fēng)扇、排風(fēng)機(jī)、壓縮機(jī)和水泵等轉(zhuǎn)動設(shè)備消耗掉超過三分之一的美國自產(chǎn)電能。這些設(shè)備或許應(yīng)用變頻器技術(shù)，通過這些技術(shù)，電動速度自調(diào)整以適應(yīng)負(fù)載要求，在提高生產(chǎn)率和降低能耗方面有明顯功用。例如，調(diào)低風(fēng)扇和水泵15%到20%的速度可以使其軸功率降低30%。

　　適當(dāng)?shù)淖冾l器應(yīng)用是可承擔(dān)的、可信賴的和靈活的。它能夠通過減少電能消耗而節(jié)省開支。電動變頻器透過脈沖寬度調(diào)制來改變感應(yīng)電動機(jī)的電壓和頻率。這些變頻器利用絕緣柵門極晶體管將固定頻率的ac電源電壓改變?yōu)榭烧{(diào)頻率、可調(diào)電壓的ac電源為馬達(dá)供電，同時也可在10%到200%間調(diào)整感應(yīng)電動機(jī)的速度，甚至可以在更大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。這些變頻器同樣能夠調(diào)整與輸出頻率相對稱的輸出電壓以提供一個相對穩(wěn)定比率的電壓、頻率比，這樣的話可以產(chǎn)生足夠的轉(zhuǎn)矩。

　　Altivar12手冊建議你移除B型和C型支架入口保護(hù)的通氣孔蓋，因為IP20的保護(hù)是足夠的，但我們要將其保留在A類型支架的外殼上（圖一）。ANSI/IEC 60529-2004將這些描述為外圍設(shè)備提供的防護(hù)等級。這是一個把防護(hù)等級分類的系統(tǒng)，專為那些進(jìn)入危險部分工作操作者和對那些會被固體外物和水破壞的設(shè)備而準(zhǔn)備的。A型支架在通氣孔蓋放在適當(dāng)位置的前提下，允許每邊多于50mm的可用空間，B類型支架允許不帶通氣孔蓋的變頻器的并排安裝（參考一）。C類型支架除了拿去了通氣孔蓋以外，其他和A類型的基本一致。

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　　5、朝鮮衛(wèi)星三級運(yùn)載火箭解體災(zāi)難真相曝光

　　圖為朝鮮衛(wèi)星于周四發(fā)射升空的Unha-3火箭，火箭只按照原計劃飛行4分鐘隨之解體

　　電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：根據(jù)火箭專家分析，朝鮮衛(wèi)星Unha-3三級運(yùn)載火箭在3月12號（周四）發(fā)射失敗，其主要原因很可能是在火箭發(fā)射早期進(jìn)入飛行軌道，在一分鐘內(nèi)的火箭發(fā)射中由于Max Q或最大限度的空氣流動壓力產(chǎn)生的劇烈振蕩所導(dǎo)致。

　　當(dāng)朝鮮衛(wèi)星的火箭在較低階段持續(xù)數(shù)分鐘的飛行時，位于運(yùn)載火箭頂部的電子自旋共振導(dǎo)致第三級Max Q過高而造成火箭解體的災(zāi)難，資深空間技術(shù)策略分析師指出。振動使得朝鮮衛(wèi)星升空的夢想徹底破滅。

　　和朝鮮衛(wèi)星連著在一起的第三級運(yùn)載火箭，在一開始進(jìn)入飛行的一分鐘時間里便注定了以失敗告終的悲慘結(jié)局。在世界的譴責(zé)聲中，朝鮮堅持聲稱只是進(jìn)行衛(wèi)星飛行測試，將極地軌道衛(wèi)星送上天。但是，很多國外專家堅稱朝鮮平壤使用三級運(yùn)載火箭用于彈道導(dǎo)彈的發(fā)射。

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　　6、深入賽靈思Kintex-7 FPGA內(nèi)部：透視HKMG技術(shù)

　　電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：終于逮到機(jī)會評估前沿高端新技術(shù)。在眾多的革新性工藝技術(shù)中，賽靈思和臺積電首次將高K金屬柵極（HKMG）技術(shù)應(yīng)用到FPGA中尤其是其中的佼佼者。現(xiàn)在就讓電子發(fā)燒友網(wǎng)帶領(lǐng)大家從賽靈思的工藝革新發(fā)展歷史到目前代表行業(yè)領(lǐng)域最高科技的Kintex-7 FPGA內(nèi)部架構(gòu)，這是令人興奮的一次高科技之旅。

　　賽靈思的工藝革新史

　　賽靈思早在1984年就利用無晶圓商業(yè)模式制造出賽靈思首顆芯片，代工廠商為Seiko 和 Monolith。當(dāng)他們從65nm工藝節(jié)點轉(zhuǎn)入較低節(jié)點時，賽靈思和UMC， Samsung 及Toshiba 尋求合作生產(chǎn) FPGAs。直到現(xiàn)在，賽靈思采用臺積電的HKMG工藝不但用于領(lǐng)先的FPGAs的Kintex-7系列產(chǎn)品，也囊括了很多其他即將來臨的產(chǎn)品設(shè)備，包括Artix-7和 Virtex-7 FPGA系列和Zynq-7000 EPP系列。這一決定將賽靈思所有產(chǎn)品推向進(jìn)入到28nm節(jié)點時代。

　　FPGAs 產(chǎn)品家族的Kintex-7系列采用了臺積電28nm高性能低功耗（HPL）工藝節(jié)點技術(shù)來進(jìn)行設(shè)計封裝制造，為客戶提供低功耗和高性能體驗。它的市場戰(zhàn)略目標(biāo)為下一代廣播電視點播系統(tǒng)和下一代無線網(wǎng)絡(luò)等等應(yīng)用領(lǐng)域。

　　Kintex-7組件能被配置到支持多空中接口，如LTE， WiMAX， WCDMA以及為PCI Express （Gen1/Gen2）提供八通道內(nèi)置設(shè)計需求。Kintex-7 FPGA家族擁有領(lǐng)先的可擴(kuò)展賽靈思架構(gòu)，可對前一代產(chǎn)品（40-nm） Virtex-6 FPGAs進(jìn)行簡便地移植使用。

　　談及到移植的問題，眾多的晶圓廠從65-nm節(jié)點的主要基于多晶硅門和應(yīng)變工程過渡到到高K金屬門柵極絕緣層，伴隨著技術(shù)難度的加大和高成本，每次過渡都充滿著潛在性危險。

　　回首HKMG工藝技術(shù)，Intel憑借45-nm后柵極工藝最先進(jìn)入到金屬門。臺積電是第二個晶圓代工廠能提供后柵極金屬門工藝的廠商。Intel的競爭者——AMD，直到現(xiàn)在才為其32-nm工藝節(jié)點引進(jìn)后柵極金屬門工藝，據(jù)信，這是因為日本松下公司為其首次金屬門工藝采用金屬門重疊多硅結(jié)構(gòu)。

　　賽靈思選擇較為簡單的HKMG工藝降低來自高功耗（HP）或低功耗（LP）28nm工藝所帶來的風(fēng)險。選擇高性能，低功耗（HPL）HKMG技術(shù)可有效規(guī)避產(chǎn)量和漏電等異常事件發(fā)生。

　　選擇HPL方案，賽靈思可以更好的在進(jìn)行FPGA設(shè)計時處理復(fù)雜和昂貴的靜態(tài)電源管理方案，使得能專注于開發(fā)具有統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的7 系列 FPGAs架構(gòu)（如Artix-7 和 Virtex-7）。這些統(tǒng)一的架構(gòu)為開發(fā)者帶來了許多好處，在FPGAs家族中不同的產(chǎn)品中可向上或向下移植兼容，客戶代碼和IP及普通模塊（RAM， DSP， I/O，時鐘，互連邏輯，存儲器接口）復(fù)用。

　　詳情請參閱：深入賽靈思Kintex-7 FPGA內(nèi)部：透視HKMG技術(shù)