優(yōu)勢和特點

• 無源寬帶I/Q混頻器
• RF和LO范圍：6 GHz至26.5 GHz
• 寬IF帶寬：DC至5 GHz
• 單端RF、LO和IF
• 轉(zhuǎn)換損耗：9 dB（典型值）
• 鏡像抑制：25 dBc（典型值）
• 單邊帶噪聲指數(shù)：9 dB（典型值）
• 輸入IP3（下變頻器）：24 dBm（典型值）
• 輸入P1dB壓縮點（下變頻器）：15 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：40 dB（典型值）
• RF至IF隔離：20 dB（典型值）
• 幅度平衡：±0.5 dB（典型值）
• 相位平衡（下變頻器）：±5°（典型值）
• RF回波損耗：15 dB（典型值）
• LO回波損耗：15 dB（典型值）
• IF回波損耗：15 dB（典型值）
• 裸露焊盤、4 mm × 4 mm、24引腳陶瓷LCC 封裝

產(chǎn)品詳情

HMC8191是一款無源、寬帶I/Q單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器，可用作接收器鏡像抑制混頻器或發(fā)射器單邊帶上變頻器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射頻(RF)和本振(LO)范圍以及DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬，非常適合需要寬頻率范圍、出色RF性能、簡單設計以及更少元件和小尺寸印刷電路板(PCB)的應用。單個HMC8191可取代設計中的多個窄帶混頻器。

HMC8191的固有I/Q架構(gòu)具有出色的鏡像抑制能力，因此無需進行成本高昂的干擾邊帶濾波。該混頻器還提供出色的LO至RF和LO至IF隔離性能，并降低了LO泄漏的影響以確保信號完整性。

作為一款無源混頻器，HMC8191無需任何直流電源。相比有源混頻器，它提供較低的噪聲指數(shù)，從而確保針對高性能和精密應用具有出色的動態(tài)范圍。

HMC8191采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造，使用ADI公司的混頻器單元和90度混合器件。HMC8191提供緊湊型、4 mm × 4 mm、24引腳無鉛芯片載體(LCC)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+85°C。HMC8191評估板還可通過ADI網(wǎng)站獲得。

應用

• 測試與測量儀器儀表
• 軍事、航空航天和防務應用
• 微波點對點基站

方框圖