優(yōu)勢和特點(diǎn)

• 輸出功率： +15 dBm
• 寬輸入功率范圍： 0至+10 dBm
• 100 kHz SSB相位噪聲： -140 dBc/Hz

• +5V（75 mA電源）
• 16 mm2無鉛QFN SMT封裝

產(chǎn)品詳情

HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術(shù)的有源微型x2倍頻器，提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm（典型值），單電源電壓為+5V，在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。 在輸出信號(hào)電平方面，對(duì)無用基波和次諧波的抑制為30 dBc（典型值）。

100 kHz偏置時(shí)的低加性SSB相位噪聲為-142 dBc/Hz，有助于用戶保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC369LP3(E)非常適合在LO倍頻器鏈路中使用，與傳統(tǒng)方法相比可以減少器件數(shù)量。 HMC369LP3(E)還用于OC-192時(shí)鐘恢復(fù)。 輸入端應(yīng)用10 GBPS數(shù)據(jù)可在輸出端產(chǎn)生-7 dBm時(shí)鐘音，雜散信號(hào)抑制為25 dB。

應(yīng)用

• OC-192時(shí)鐘恢復(fù)
• 微波無線電和VSAT
• 軍用無線電、雷達(dá)和ECM
• 測試儀器儀表

方框圖