SuperFET?IIMOSFET是安森美半導體全新的高壓超結（SJ）MOSFET系列，利用電荷平衡技術實現出色的低導通電阻和低柵極充電性能。該技術專為最小化傳導損耗，提供卓越的開關性能，dv / dt速率和更高的雪崩能量而量身定制。因此，SuperFET II MOSFET非常適用于開關電源應用，如PFC，服務器/電信電源，FPD電視電源，ATX電源和工業電源應用。 650 V，TJ = 150°C 最大。 RDS（on）=600mΩ 超低柵極電荷（典型值Qg = 20 nC） 低效輸出電容（典型值Coss.eff = 74 pF） 100％雪崩測試 ESD改進容量