ACPL-P347-000E 1.0A輸出電流SiC / GaN MOSFET和IGBT柵極驅動光電耦合器

數據： ACPL-P347 / ACPL-W347：采用拉伸SO6數據表的1.0安培輸出電流SiC / GaN MOSFET和IGBT柵極驅動光電耦合器

描述

Broadcom ACPL-P347是一款高速1.0A柵極驅動光耦器件，包含AlGaAs LED，光耦合到具有功率輸出的集成電路階段。該器件非常適合驅動用于功率轉換應用的SiC / GaN（碳化硅/氮化鎵）MOSFET和IGBT。輸出級的高工作電壓范圍提供門控器件所需的驅動電壓。該器件支持高軌到軌輸出電壓和高峰值輸出電流，非常適合直接驅動額定電壓高達1200V / 50A的MOSFET和IGBT。 ACPL-P347具有高絕緣電壓V _IORM = 891 V _PEAK 符合IEC / EN / DIN EN 60747-5-5并且已通過UL1577認證使用3750 V _RMS 1分鐘。

功能

1.0A最大峰值輸出電流
寬工作電壓V _CC 范圍：15至30 V
110ns最大傳播延遲
50ns最大傳播延遲差異
軌道到 - 軌道輸出電壓
100-kV /μs最小共模抑制（CMR）在
V _CM = 1500 V
具有遲滯的LED電流輸入
I _CC = 4.2 mA最大電源電流
帶滯后的欠壓鎖定（UVLO）保護
工業溫度范圍：-40°C至105°C
安全認證：
- UL認可3750 V _RMS 1分鐘。
- CSA
- IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V _IORM = 891 V _PEAK
可用選項：
060E = IEC / EN / DI N EN 60747-5-5
500E =卷帶包裝選項
XXXE =無鉛選項