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      Vishay

      SIHD7N60E-E3

      MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

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      SIHD7N60E-E3 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        7 A
      • 輸入偏置電容
        680 pF
      • 漏源電阻
        600 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導通電阻
        600 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        40 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        13 ns
      • 功率耗散
        78 W
      • 關閉延遲時間
        24 ns
      • 下降時間
        14 ns
      • 上升時間
        13 ns

      Physical

      • 重量
        0.050717 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-252-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

      SIHD7N60E-E3 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • SIHD7N60E-E3
        1年前
        Huaqiu Chip

      SIHD7N60E-E3 圖片

      • Digikey

        Digikey

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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