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Diodes

MMBTH10-7-F

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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MMBTH10-7-F 器件參數

Function

  • 額定電流
    50 mA
  • 額定電壓
    25 V
  • 頻率
    650 MHz
  • 集電極電流
    50 mA
  • 集電極截止電流
    100 nA
  • 集電極發射極飽和電壓@4mA,400uA
    500 mV
  • 集電極-基極電壓
    30 V
  • 集電極-發射極電壓
    25 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    25 V
  • 配置
    Single
  • 轉換頻率
    650 MHz
  • 電流增益 hFE@4mA,10V
    60
  • 極性
    NPN
  • 晶體管類型
    NPN
  • 增益帶寬乘積
    650 MHz
  • 發射極 - 基極電壓
    3 V
  • 功率耗散
    300 mW
  • 擊穿電壓
    25 V
  • 元件數量
    1

Physical

  • 重量
    0.000282 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-23

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1 mm
  • 長度
    3.05 mm
  • 寬度
    1.4 mm

MMBTH10-7-F EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

MMBTH10-7-F 數據手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • poYBAGNYHliAYN5IAAidRqYY0xM170.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

MMBTH10-7-F 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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