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      ON Semiconductor

      FGD3050G2V

      IGBT 500 V 32 A 150 W Surface Mount DPAK

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      FGD3050G2V 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        32 A
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        500 V
      • 柵極電荷
        22 nC
      • 功率耗散
        150 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        40 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 制造商封裝
        TO-252

      Compliance

      • RoHS
        Yes

      FGD3050G2V EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FGD3050G2V 數據手冊

      FGD3050G2V 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell

      • Digikey

        Digikey

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