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      Vishay

      SIHG28N60EF-GE3

      MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC

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      SIHG28N60EF-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        28 A
      • 輸入偏置電容
        2.714 nF
      • 漏源電阻
        123 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        123 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        120 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        24 ns
      • 功率耗散
        250 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        82 ns
      • 下降時間
        39 ns
      • 上升時間
        40 ns

      Physical

      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        500
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

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      • 1年前
        Future
      • SIHG28N60EF-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip

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