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      STMicroelectronics

      STF13NM60ND

      MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

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      STF13NM60ND 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        11 A
      • 輸入偏置電容
        845 pF
      • 漏源電阻
        380 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        650 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        380 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵極電荷@10V
        24.5 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        46.5 ns
      • 功率耗散
        25 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        9.6 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        15.4 ns
      • 上升時間
        10 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      Dimension

      • 高度
        16.4 mm
      • 長度
        10.6 mm
      • 寬度
        4.6 mm

      STF13NM60ND 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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      • 1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

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