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Infineon

IRF8313TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

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IRF8313TRPBF 器件參數

Function

  • 閾值電壓
    1.8 V
  • 閘/源截止電壓
    1.8 V
  • 配置
    Dual
  • 連續漏極電流
    9.7 A
  • 輸入偏置電容
    760 pF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電阻
    21.6 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻@10V,9.7A
    15.5 mΩ
  • 漏源導通電阻
    15.5 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@25uA
    2.35 V
  • 柵極電荷@4.5V
    9 nC
  • 極性
    N+N
  • 接通延遲時間
    8.3 ns
  • 反向傳輸電容
    87 pF
  • 功率耗散
    2 W
  • 擊穿電壓
    30 V
  • 關閉延遲時間
    8.5 ns
  • 元件數量
    2
  • 下降時間
    4.2 ns
  • 上升時間
    9.9 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    8
  • 工作溫度
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Cut Tape
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    SO-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm

IRF8313TRPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRF8313TRPBF 數據手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRF8313TRPBF 圖片

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  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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