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ON Semiconductor

FDFS2P753Z

Trans MOSFET P-CH 30V 3A 8-Pin SOIC N T/R

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FDFS2P753Z 器件參數

Function

  • 額定電流
    -3 A
  • 額定電壓
    -30 V
  • 閾值電壓
    -2.1 V
  • 配置
    Single
  • 連續漏極電流
    3 A
  • 輸入偏置電容@10V
    455 pF
  • 類型
    P溝道
  • 漏源電阻
    115 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -30 V
  • 漏源導通電阻@10V,3A
    115 mΩ
  • 漏源導通電阻
    115 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3 V
  • 柵極電荷@10V
    9.3 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時間
    7 ns
  • 功率耗散
    1.6 W
  • 關閉延遲時間
    18 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    31 ns
  • 上升時間
    31 ns
  • FET功能
    Schottky Diode (Isolated)

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOP-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.575 mm
  • 長度
    4.9 mm
  • 寬度
    3.9 mm

FDFS2P753Z EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

FDFS2P753Z 數據手冊

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    來源
  • FDFS2P753Z
    1年前
    Huaqiu Chip

FDFS2P753Z 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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