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      ON Semiconductor

      RGF1K

      DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

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      RGF1K 器件參數

      Function

      • 額定電流
        1 A
      • 額定電壓
        800 V
      • 重復反向電壓
        800 V
      • 配置
        Single
      • 輸出電流
        1 A
      • 類型
        Single
      • 浪涌電流
        30 A
      • 正向電流
        1 A
      • 正向電壓@1
        1.3 V
      • 極性
        Standard
      • 恢復時間
        500 ns
      • 平均整流電流
        1 A
      • 峰值非重復浪涌電流
        30 A
      • 峰值反向電壓
        800 V
      • 容值
        8.5 pF
      • 反向電壓
        800 V
      • 反向漏電流@800V
        5 μA
      • 反向恢復時間
        500 ns
      • 功率耗散
        1.76 W

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度(Min)
        -65 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 工作溫度
        175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SMA

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      RGF1K EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      RGF1K 數據手冊

      RGF1K 圖片

      • Digikey

        Digikey

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell

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