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      3天內不再提示

      Infineon

      IPB020N10N5ATMA1

      MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

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      IPB020N10N5ATMA1 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        120 A
      • 輸入偏置電容
        15.6 nF
      • 漏源電阻
        2.5 mΩ
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源極擊穿電壓
        100 V
      • 漏源導通電阻
        2 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        210 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        33 ns
      • 功率耗散
        375 W
      • 關閉延遲時間
        77 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        29 ns
      • 上升時間
        26 ns

      Physical

      • 重量
        0.139332 oz
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-263-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • RoHS
        yes

      IPB020N10N5ATMA1 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • pYYBAGNW9HWAOajQAA-NwgxQkwo933.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

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