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      Infineon

      IPD60R385CPATMA1

      MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

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      IPD60R385CPATMA1 器件參數

      Function

      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        9 A
      • 輸入偏置電容@100V
        790 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        350 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導通電阻@5.2A,10V
        385 mΩ
      • 漏源導通電阻
        385 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@340uA
        3.5 V
      • 柵極電荷@10V
        22 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        10 ns
      • 功率耗散
        83 W
      • 關閉延遲時間
        40 ns
      • 下降時間
        5 ns
      • 上升時間
        5 ns

      Physical

      • 重量
        0.139332 oz
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-252-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • RoHS
        yes

      IPD60R385CPATMA1 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IPD60R385CPATMA1 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IPD60R385CPATMA1 圖片

      • Huaqiu Chip

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