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      ON Semiconductor

      AFGHL75T65SQDT

      650V/75A FS4 IGBT TO247 L

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      AFGHL75T65SQDT 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        80 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        2.1 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        650 V
      • 柵極電荷
        136 nC
      • 晶體管類型
        Trench Field Stop
      • 反向恢復時間
        75 ns

      Physical

      • 安裝方式
        DIP
      • 制造商封裝
        TO-247-3L

      Compliance

      • RoHS
        Yes

      AFGHL75T65SQDT EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      AFGHL75T65SQDT 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
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      • afghl75t65sqdt-d.pdf
        1年前
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