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Infineon

IRFH5015TRPBF

MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN

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IRFH5015TRPBF 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    5 V
  • 連續(xù)漏極電流
    10 A
  • 輸入偏置電容@50V
    2.3 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    31 mΩ
  • 漏源電壓
    150 V
  • 漏源極擊穿電壓
    150 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@34A,10V
    31 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    31 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@150uA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    50 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    9.4 ns
  • 功率耗散
    156 W, 3.6 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    14 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    3.4 ns
  • 上升時間
    9.7 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    PQFN-8(5x6)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1 mm
  • 長度
    6.15 mm
  • 寬度
    5.15 mm

IRFH5015TRPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRFH5015TRPBF 數(shù)據(jù)手冊

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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRFH5015TRPBF 圖片

  • Huaqiu Chip

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