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STMicroelectronics

STW45NM60

MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3

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STW45NM60 器件參數

Function

  • 額定電流
    45 A
  • 額定電壓
    600 V
  • 閾值電壓
    4 V
  • 配置
    Single
  • 連續漏極電流
    45 A
  • 輸入偏置電容@25V
    3.8 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    110 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    600 V
  • 漏源導通電阻@22.5A,10V
    110 mΩ
  • 漏源導通電阻
    110 mΩ
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    134 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    30 ns
  • 功率耗散
    417 W
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    23 ns
  • 上升時間
    20 ns

Physical

  • 重量
    20 mlb
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度
    -65 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    30
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    20.15 mm
  • 長度
    15.75 mm
  • 寬度
    5.15 mm

STW45NM60 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

STW45NM60 數據手冊

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  • 1年前
    Future
  • poYBAGNXFx6AEPpIAAT8qCqIHKU911.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

STW45NM60 圖片

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