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      Infineon

      FP25R12W2T4

      IGBT模塊

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      FP25R12W2T4 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        39 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        1.85 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        1.2 kV
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        1.2 kV
      • 功率耗散
        175 W

      Physical

      • 引腳數(shù)
        23
      • 工作溫度
        -40 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Screw
      • 包裝方式
        Bulk
      • 包裝數(shù)量
        15
      • 制造商封裝
        AG-EASY2B-1

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      FP25R12W2T4 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FP25R12W2T4 數(shù)據(jù)手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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