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      Infineon

      IRS2117STRPBF

      IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

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      IRS2117STRPBF 器件參數

      Function

      • 驅動配置
        高邊
      • 驅動器數量
        1
      • 通道類型
        Single
      • 輸出端數量
        1
      • 輸出電流
        600 mA
      • 負載類型
        MOSFET；IGBT
      • 類型
        IGBT, N通道 MOSFET
      • 電源電壓(Min)
        10 V
      • 電源電壓(Max)
        20 V
      • 電壓(Min)
        10 V
      • 電壓(Max)
        20 V
      • 接通延遲時間
        125 ns
      • 拓撲結構
        Single High Side
      • 峰值脈沖電流
        290 mA, 600 mA
      • 功率耗散
        625 mW
      • 關閉延遲時間
        105 ns
      • 供電電流
        340 μA
      • 傳播延遲
        200 ns
      • 下降時間
        35 ns
      • 上升時間
        75 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOP-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes

      IRS2117STRPBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IRS2117STRPBF 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IRS2117STRPBF 圖片

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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