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Infineon

IPD60R1K4C6

N-Channel CoolMOS? C6 Power-Transistor, 600?V VDS, 3.2?A ID, -55 to 150 degC, PG-TO252-3-313, Reel, Green

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IPD60R1K4C6 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    3 V
  • 閘/源截止電壓
    3 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    3.2 A
  • 輸入偏置電容
    200 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    1.26 Ω
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源極擊穿電壓
    650 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,1.1A
    1.4 Ω
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    1.4 Ω
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@90μA
    3.5 V
  • 柵極電荷@10V
    9.4 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    8 ns
  • 功率耗散
    28.4 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    40 ns
  • 下降時間
    20 ns
  • 上升時間
    7 ns

Physical

  • 端子間距
    4.58 mm
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    TO-252

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.41 mm
  • 長度
    6.73 mm
  • 寬度
    6.22 mm

IPD60R1K4C6 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IPD60R1K4C6 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • Rev. 2.0
    1年前
    Altium Library

IPD60R1K4C6 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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