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      Microchip Technology

      APT80GA90S

      IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A

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      APT80GA90S 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        145 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        3.1 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        900 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        900 V
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        200 nC
      • 晶體管類型
        PT

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        TO268-3

      APT80GA90S 數(shù)據(jù)手冊

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        1年前
        Huaqiu Chip

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