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      ON Semiconductor

      HGTG11N120CND

      IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

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      HGTG11N120CND 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        43 A
      • 額定電壓
        1.2 V, 1.2 kV
      • 集電極電流
        43 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        2.1 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        1.2 kV
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        1200 V
      • 配置
        Single
      • 類型
        NPT
      • 柵極電荷
        100 nC
      • 晶體管類型
        NPT
      • 接通延遲時(shí)間
        23 ns
      • 反向恢復(fù)時(shí)間
        70 ns
      • 功率耗散
        298 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        180 ns

      Physical

      • 重量
        0.225401 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        30
      • 制造商封裝
        TO-247AC-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      HGTG11N120CND EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      HGTG11N120CND 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        Huaqiu Chip

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