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Microchip Technology

APT50GT120LRDQ2G

IGBT NPT 1200 V 106 A 694 W Through Hole TO-264 [L]

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APT50GT120LRDQ2G 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    106 A
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    1.2 kV
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    1.2 kV
  • 配置
    Single
  • 柵極電荷
    240 nC
  • 晶體管類型
    NPT
  • 功率耗散
    694 W

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    TO-264-3

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

APT50GT120LRDQ2G 數(shù)據(jù)手冊

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  • 1年前
    Digikey
  • 1年前
    Huaqiu Chip

APT50GT120LRDQ2G 圖片

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