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Infineon

SKB15N60

Fast IGBT in NPT-Technology with Soft, Fast Recovery Anti-Parallel EmCon Diode, PG-TO263-3-2, Reel, Green

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SKB15N60 器件參數

Function

  • 集電極電流
    31 A
  • 集電極發射極飽和電壓
    2.4 V
  • 集電極-發射極電壓
    600 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 柵極電荷
    76 nC
  • 晶體管類型
    NPT
  • 反向恢復時間
    279 ns
  • 功率耗散
    139 W

Physical

  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-263-3

Compliance

  • 無鹵素
    Halogen Free

SKB15N60 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

SKB15N60 數據手冊

  • 文檔
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    來源
  • Rev. 2.2
    1年前
    Altium Library
  • INFNS27336-1.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

SKB15N60 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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