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      Infineon

      IGW50N65H5

      650 V IGBT High Speed Switching Series Fifth Generation, 80 A IC, PG-TO247-3-44, Tube, Green

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      IGW50N65H5 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        80 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        2.1 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        1.65 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        650 V
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        120 nC
      • 晶體管類型
        Trench Field Stop
      • 功率耗散
        305 W

      Physical

      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -40 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      IGW50N65H5 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IGW50N65H5 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • Rev. 1.1
        1年前
        Altium Library
      • INFN-S-A0001299637-1.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      IGW50N65H5 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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