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Infineon

IRF8308MTRPBF

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 27 amperes optimized with low on resistance., MG-WDSON-5, RoHS

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IRF8308MTRPBF 器件參數

Function

  • 閘/源截止電壓
    1.8 V
  • 連續漏極電流
    27 A
  • 輸入偏置電容
    4.404 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    3.5 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻@10V,27A
    2.5 mΩ
  • 漏源導通電阻
    2.5 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@100μA
    2.35 V
  • 柵極電荷@4.5V
    42 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    11 ns
  • 功率耗散
    2.8 W
  • 關閉延遲時間
    23 ns
  • 下降時間
    16 ns
  • 上升時間
    19 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    7
  • 工作溫度
    -40 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    MG-WDSON-5

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

IRF8308MTRPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRF8308MTRPBF 數據手冊

IRF8308MTRPBF 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Farnell

    Farnell

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