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ON Semiconductor

NGB8206ANTF4G

Ignition IGBT, 20 A, 350 V, N-Channel, 3-Pin D2PAK, Pb-Free, Tape and Reel

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NGB8206ANTF4G 器件參數

Function

  • 集電極電流
    20 A
  • 集電極發射極飽和電壓
    1.9 V
  • 集電極-發射極電壓
    390 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    390 V
  • 配置
    Single
  • 功率耗散
    150 W

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度
    -55 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    700
  • 制造商封裝
    TO-263-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • 無鹵素
    Halogen Free

NGB8206ANTF4G EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

NGB8206ANTF4G 數據手冊

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    上傳于
    來源
  • Rev. 9
    1年前
    Altium Library
  • ONSMS21515-1.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

NGB8206ANTF4G 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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