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      STMicroelectronics

      STGWT30HP65FB

      IGBT TRENCH 650V 60A TO3P

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      STGWT30HP65FB 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        60 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        2 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        650 V
      • 等級(jí)
        Industrial
      • 柵極電荷
        149 nC
      • 晶體管類型
        Trench Field Stop
      • 反向恢復(fù)時(shí)間
        140 ns

      Physical

      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        30pcs
      • 制造商封裝
        TO-3P-3

      STGWT30HP65FB EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • en.DM00245474.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

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