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      ON Semiconductor

      SBCP56-10T1G

      NPN Silicon Epitaxial Transistor, 4-Pin SOT-223, Pb-Free, Tape and Reel

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      SBCP56-10T1G 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        1 A
      • 集電極截止電流
        100 nA
      • 集電極發射極飽和電壓@500mA,50mA
        500 mV
      • 集電極-基極電壓
        100 V
      • 集電極-發射極電壓
        80 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        80 V
      • 配置
        Single
      • 轉換頻率
        130 MHz
      • 電流增益 hFE@150mA,2V
        63
      • 極性
        NPN
      • 晶體管類型
        NPN
      • 增益帶寬乘積
        130 MHz
      • 發射極 - 基極電壓
        5 V
      • 功率耗散
        1.5 W
      • 擊穿電壓
        80 V

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        4
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -65 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-223-4

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      SBCP56-10T1G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SBCP56-10T1G 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • Rev. 8
        1年前
        Altium Library
      • SBCP56-10T1G.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      SBCP56-10T1G 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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