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ON Semiconductor

NJT4030PT1G

TRANS PNP 40V 3A SOT223

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NJT4030PT1G 器件參數

Function

  • 頻率
    160 MHz
  • 集電極電流
    3 A
  • 集電極截止電流
    100 nA
  • 集電極發射極飽和電壓@300mA,3A
    500 mV
  • 集電極-基極電壓
    40 V
  • 集電極-發射極電壓
    40 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    40 V
  • 配置
    Single
  • 轉換頻率
    160 MHz
  • 電流增益 hFE@1A,1V
    200
  • 極性
    PNP
  • 晶體管類型
    PNP
  • 增益帶寬乘積
    160 MHz
  • 發射極 - 基極電壓
    6 V
  • 功率耗散
    2 W
  • 擊穿電壓
    40 V
  • 元件數量
    1

Physical

  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    4
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    SOT-223

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.63 mm
  • 長度
    6.5 mm
  • 寬度
    3.5 mm

NJT4030PT1G EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

NJT4030PT1G 數據手冊

  • 文檔
    標題
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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • NJT4030PT1G
    1年前
    Huaqiu Chip

NJT4030PT1G 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Digikey

    Digikey

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