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Infineon

IHW20N120R3

1200?V Reverse Conducting IGBT with Monolithic Body Diode, 40?A IC, -40 to 175 degC, PG-TO247-3-44, Tube, Green

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IHW20N120R3 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    40 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    1.48 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    1.2 kV
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    1.2 kV
  • 配置
    Single
  • 功率耗散
    310 W

Physical

  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -40 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    240
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

IHW20N120R3 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IHW20N120R3 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • IHW20N120R3
    1年前
    Huaqiu Chip
  • Rev. 2.5
    1年前
    Altium Library

IHW20N120R3 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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