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      Rohm

      ZDS020N60TB

      MOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP

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      ZDS020N60TB 器件參數(shù)

      Function

      • 輸入偏置電容
        310 pF
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        5 Ω
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵極電荷@10V
        20 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        25 ns
      • 功率耗散
        2 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        65 ns
      • 下降時(shí)間
        65 ns
      • 上升時(shí)間
        20 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      ZDS020N60TB 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

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